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公开(公告)号：CN101174632A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710167796.X
申请日：2007-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 一种单晶体管浮体动态随机存取存储器(DRAM)装置，包括设置在半导体基板上的浮体和设置在浮体上的栅极电极，浮体包括过量载流子存储区域。DRAM装置还包括分别设置在栅极电极两侧的源极和漏极区域，以及设置在浮体与源极和漏极区域之间的泄漏屏蔽图案。每个源极和漏极区域都接触浮体，浮体可以设置在源极和漏极区域之间。浮体还可以在泄漏屏蔽图案下横向延伸，该泄漏屏蔽图案可以设置在栅极电极的外侧。
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公开(公告)号：CN101004948A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效。
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公开(公告)号：CN110910928B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910857211.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408
Abstract: 公开一种存储器模块。一种存储器模块包括：多个存储器器件，均包括存储器单元阵列；以及寄存器时钟驱动器，连接到存储器器件。寄存器时钟驱动器检测与存储器单元阵列的字线对应的行地址之中的行锤击地址，将从存储器控制器接收的用于刷新存储器单元阵列的多个刷新命令之中的刷新命令转换为行锤击刷新命令，并将行锤击刷新命令和行锤击地址发送到所述多个存储器器件中的每个。
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公开(公告)号：CN101246734B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN1933023B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514492C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410046560.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2013/0066 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明描述了一种对相变存储器件，比如硫族化合物存储器(PRAM)，进行编程的方法。本发明涉及将PRAM元件从复位状态编程到设置状态或从设置状态编程到设置状态的方法。本发明提供了一种新颖且非显而易见的PRAM器件和方法，其中通过在编程的过程中监测存储元件的状态控制设置脉冲持续时间，比如通过将位线的电压与参考电压进行比较或将单元电阻与设置状态单元电阻进行比较。响应存储元件的所检测的状态控制设置脉冲的持续时间。本发明的方法的结果是PRAM编程错误，比如由恒定的持续时间设置脉冲引起的错误，被极大地减少，以及编程持续时间和功耗减小。
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公开(公告)号：CN101246734A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710303563.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C5/147 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。
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公开(公告)号：CN101154437A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161791.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , Y10S977/935
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器(RAM)，可以包括：多个可变电阻器件；多条读位线，其被电连接到各自的可变电阻器件；多条写位线，其与读位线交错。所述磁阻式RAM可以被配置为：当将第一数据写到第一可变电阻器件时，通过与该第一可变电阻器件相邻的第一写位线施加第一写电流；以及，通过与第二可变电阻器件相邻的第二写位线施加第一抑制电流，第二可变电阻器件与第一写位线相邻、并且在第一写位线与第二写位线之间，并且第一写电流与第一抑制电流同时地、并且以相同方向流动。
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公开(公告)号：CN1996493A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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