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公开(公告)号：CN112346557B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010391698.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3296 , G06F1/329 , G06F1/324
Abstract: 在操作包括多个处理器核的多核系统的方法中，通过监控相对于每个任务的任务停驻时间来提供分别对应于多个任务的多个任务停驻信息。任务停驻时间指示在任务激活时间内每个任务被暂停的时间，任务激活时间指示每个任务占用对应处理器核时的时间。基于所述多个任务停驻信息来执行任务调度，并且基于任务调度来执行细粒度动态电压和频率调节(DVFS)。多个任务可以基于负载不平衡被分配给多个处理器核，并且可以增加细粒度DVFS的效果以减少多核系统的功耗。
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公开(公告)号：CN113628592A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110496771.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种背光器件，包括：被划分成调光组的LED元件；面板驱动器，被配置为输出用于驱动LED元件的参考电流；以及多个像素电路，其中每个像素电路通过公共线路连接到面板驱动器，并且分别被配置为驱动对应的调光组中所包括的第一多个LED元件。像素电路中的每一个被配置为：在帧时段的第一时段中，基于参考电流获得参考电压并且存储该参考电压；在帧时段的第二时段中，获得由对应的调光组显示的图像的亮度数据；以及在帧时段的第三时段中，使用在第一时段中存储的参考电压，在与在第二时段中获得的亮度数据相对应的发光时间期间驱动第一多个LED元件。
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公开(公告)号：CN112346557A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010391698.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3296 , G06F1/329 , G06F1/324
Abstract: 在操作包括多个处理器核的多核系统的方法中，通过监控相对于每个任务的任务停驻时间来提供分别对应于多个任务的多个任务停驻信息。任务停驻时间指示在任务激活时间内每个任务被暂停的时间，任务激活时间指示每个任务占用对应处理器核时的时间。基于所述多个任务停驻信息来执行任务调度，并且基于任务调度来执行细粒度动态电压和频率调节(DVFS)。多个任务可以基于负载不平衡被分配给多个处理器核，并且可以增加细粒度DVFS的效果以减少多核系统的功耗。
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公开(公告)号：CN111913908A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010336704.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在操作存储系统的方法中，第一安全数据和用于防止重放攻击的第一时间戳由主机设备写入到作为外部存储区域的第一存储区域中。主机设备基于第一时间戳来更新第二时间戳。与第一时间戳相对应的第二时间戳存储在与第一存储区域不同的第二存储区域中。主机设备接收表示第二时间戳的更新结果的第一通知信号。当主机设备基于第一通知信号确定第二时间戳成功更新时，完成第一安全数据的写操作。
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公开(公告)号：CN110896396A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910516623.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了认证电路、包括该认证电路的电子系统和形成网络的方法。所述电子系统包括多个硬件设备和认证电路。所述认证电路在电子系统的制造过程期间与所述多个硬件设备一起作为固定硬件集成在所述电子系统中，所述认证电路被配置为基于由所述多个硬件设备中的至少一个硬件设备从所述电子系统的内部提供的系统识别码来验证系统完整性，所述系统完整性指示所述认证电路和所述多个硬件设备的组合自从所述制造过程后就未被修改，所述认证电路被配置为仅响应于所述系统完整性通过验证才执行挖掘操作，以生成要链接到区块链的下一个区块。可以防止或减小出现恣意挖掘竞争的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107786764A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710418689.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种调制解调器芯片和包括调制解调器芯片的应用处理器。调制解调器芯片与射频芯片进行通信，并且包括：数字接口，其配置为基于数字通信从射频芯片接收包括多个样本的数据。逻辑块基于调制解调器芯片中的时钟信号生成帧同步信号，将所生成的帧同步信号提供给数字接口，并且与帧同步信号同步地接收所述多个样本。
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公开(公告)号：CN103699202A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310450448.9
申请日：2013-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/26 , G06F1/3228 , G06F1/3243 , G06F1/3287 , G06F1/3296 , Y02D10/152 , Y02D10/171 , Y02D50/20
Abstract: 一种包括与存储器件通信数据的多个知识产权核（IP核）的片上系统（SoC），通过如下来操作：监视在至少一个IP核与存储器件之间是否发生数据业务；根据监视的结果来确定IP核的操作状态；以及向IP核提供与IP核的操作状态对应的功率。
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公开(公告)号：CN101071588A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710128881.5
申请日：2007-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/09
CPC classification number: G11B7/08511 , G11B2007/0013
Abstract: 一种聚焦层跳跃控制电路包括：信号处理块，响应模拟聚焦误差FE信号和FE选择信号，将模拟FE信号转换为数字FE信号；层跳跃控制块，响应数字FE信号和参考时钟信号，输出第二控制信号；聚焦主滤波器块，响应内部选择信号，输出对数字FE信号进行放大以及对数字FE信号的相位进行补偿的第一补偿信号和第二补偿信号；指数信号产生器，响应聚焦层跳跃指示信号和第一控制信号，产生指数信号；和输出电路，响应第二控制信号，使用指数信号、第一补偿信号和第二补偿信号，输出第一阶差分信号。
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公开(公告)号：CN118571852A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410205939.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/538 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体器件，包括具有彼此相邻的第一物理层区域和第二物理层区域的第一管芯、在第一管芯的下表面上的连接焊盘和连接线、在第一管芯上具有第一后布线的后布线层、以及穿透第一管芯的贯穿硅通路，贯穿硅通路包括第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路。连接焊盘包括分别与第一物理层区域和第二物理层区域电连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘，以及分别与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接的第一焊盘和第二焊盘。第一后布线与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接。连接线与第一连接焊盘和第一焊盘电连接。
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公开(公告)号：CN118538692A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410182202.6
申请日：2024-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：封装基板；第一管芯，在封装基板上并包括硬宏和贯穿硅通路；以及在第一管芯上的第二管芯，其中第一管芯包括第一区域和第二区域，第一区域不包括硬宏，第二区域包括包含硬宏的宏区域，其中第一区域的贯穿硅通路在第一方向上以第一距离布置并且在第二方向上以第二距离布置，其中第二区域的贯穿硅通路在第一方向上以第一间距布置，并且在第二方向上以第二间距布置，其中宏区域插设于在第一方向上布置的贯穿硅通路之间，其中第一间距大于第一距离，并且其中第二间距小于第二距离。
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