电子设备和电子设备的控制方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119731680A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202380052906.5

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 公开了一种电子设备和用于控制电子设备的方法。具体地,根据本公开的电子设备包括:通信单元;存储器,所述存储器包括与神经网络模型有关的信息,所述神经网络模型用于预测广告内容的每个时间槽的目标设备;以及处理器。此外,处理器可以:从多个外部设备获取用户的使用历史数据;基于使用历史数据,为多个时间槽中的每个时间槽分配和获取分别与多个外部设备对应的多个特征值;将多个特征值输入到神经网络模型,以针对多个时间槽中的每个时间槽划分多个外部设备与标签相关的多个概率的分数信息,并获取该分数信息;基于分数信息,识别多个时间槽中的每个时间槽的用于提供广告内容的多个目标设备;并且控制通信单元将关于广告内容的信息发送到多个目标设备。各种其他实施例也是可能的。

    接收差分数据选通信号的存储器控制器及存储器系统

    公开(公告)号:CN108197045B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201710091563.X

    申请日:2017-02-20

    Abstract: 公开一种接收差分数据选通信号的存储器控制器及存储器系统。所述存储器控制器包括:选通信号接收器,被配置为从存储器装置接收第一选通信号和第二选通信号作为差分数据选通信号并基于第一选通信号和第二选通信号中的每一个的电平来输出第一检测信号;比较器,被配置为接收第二选通信号和参考电压并将第二选通信号的电平与参考电压的电平进行比较,以输出第二检测信号;门信号产生器,被配置为使用第一检测信号和第二检测信号来产生遮蔽与差分数据选通信号对应的时间段的部分的门信号。

    接收差分信号的半导体装置和存储器控制器

    公开(公告)号:CN107818058B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201710820735.2

    申请日:2017-09-13

    Abstract: 提供一种接收差分信号的半导体装置和存储器控制器。所述半导体装置包括:差分信号相位检测器,接收包括第一信号和第二信号的差分信号,检测所述差分信号的相位,并产生模式控制信号;接收器,接收所述差分信号和参考电压,并根据模式控制信号,在差分模式下执行使用所述差分信号的处理操作,或在单模式下执行使用第一信号和参考电压的处理操作。所述半导体装置可以是存储器控制器。数据传送可在单模式下被禁用,以防止由于噪声导致的错误的数据识别。

    用于在低电压下操作的发射器电路和接收器电路

    公开(公告)号:CN107026642B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201710061169.1

    申请日:2017-01-25

    Abstract: 可以提供一种发射器电路,其包括:预驱动器电路,其被配置为从逻辑电路接收逻辑信号并且生成由第一电压驱动的第一信号,所述预驱动器电路包括晶体管,所述晶体管具有等于或低于所述逻辑电路中所包括的晶体管的阈值电压的阈值电压;以及主驱动器电路,其被配置为接收所述第一信号并且生成由第二电压驱动的第二信号,所述主驱动器电路被配置为将所述第二信号输出到输入/输出垫,所述主驱动器电路包括晶体管,所述晶体管具有等于或低于所述逻辑电路中所包括的所述晶体管的所述阈值电压的阈值电压。

    接收差分信号的半导体装置和存储器控制器

    公开(公告)号:CN107818058A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201710820735.2

    申请日:2017-09-13

    Abstract: 提供一种接收差分信号的半导体装置和存储器控制器。所述半导体装置包括:差分信号相位检测器,接收包括第一信号和第二信号的差分信号,检测所述差分信号的相位,并产生模式控制信号;接收器,接收所述差分信号和参考电压,并根据模式控制信号,在差分模式下执行使用所述差分信号的处理操作,或在单模式下执行使用第一信号和参考电压的处理操作。所述半导体装置可以是存储器控制器。数据传送可在单模式下被禁用,以防止由于噪声导致的错误的数据识别。

    包括中介层的电子装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112218426B

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202010533993.4

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种电子装置。根据多种实施例的电子装置可以包括:第一电路板;设置于第一电路板上且具有第一高度的第一中介层;与第一中介层电连接且设置于第一中介层上的第二电路板;设置于第一电路板上以形成在第一中介层的外部且具有第二高度的第二中介层;以及与第二中介层电连接且设置于第二中介层上的第三电路板。可以有多种实施例。

    包括互连件图案的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102157495A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110026656.7

    申请日:2011-01-20

    Inventor: 朴相勋

    CPC classification number: H01L23/48 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置包括:第一绝缘层,在第一绝缘层中具有多个通孔销;第二绝缘层,在第一绝缘层上;导电互连件图案,设置在第二绝缘层中并具有至少一个互连件平台,所述互连件平台被布置在通孔销上方并与通孔销电连接。所述制造方法包括:形成下导电层;在下导电层上形成第一绝缘层;形成竖直地穿过第一绝缘层并连接到下导电层的通孔销;在第一绝缘层和通孔销上形成第二绝缘层;在第二绝缘层中形成第一凹陷,第一凹陷具有比第二绝缘层的顶表面低的底表面;在第二绝缘层中形成沟槽并同时使第一凹陷进一步凹陷以形成第二凹陷;在第二凹陷和沟槽中形成导电材料。

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