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公开(公告)号：CN102148059B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110034906.1
申请日：2011-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其操作方法以及包括该非易失性存储器件的存储系统。在所述操作方法中，可以被浮置连接到位线的第一串的地选择线。可以向连接到所述位线的第二串的地选择线施加擦除禁止电压。可以向所述第一串和第二串施加擦除操作电压。
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公开(公告)号：CN102982844A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210551887.4
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN101325089B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810125981.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件的读取方法，包括：从存储指示初始阈电压的信息的阈电压信息单元中读取索引单元的初始阈电压值；从所述索引单元确定当前阈电压值；以及将所述初始阈电压值与所述当前阈电压值进行比较以计算所述索引单元的偏移阈电压电平。利用偏移阈电压电平改变读取电压，以使用改变的读取电压读取用户数据。
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公开(公告)号：CN100527277C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510108634.X
申请日：2005-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一方面，提供了一种可在编程模式和读出模式中操作的非易失性存储器设备。该存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元、多条字线、和多条位线的存储器单元阵列。该存储器设备还包括用于输出从存储器阵列的位线读出的数据的内部数据输出线、和可操作性地连接在存储器单元阵列的位线和内部数据输出线之间的页面缓存器。该页面缓存器包括选择性地连接到位线的检测节点、具有选择性地连接到检测节点的锁存节点的锁存电路，在编程模式和读出模式中设置锁存节点的逻辑电压的锁存输入路径、和从锁存输入路径分离并且根据锁存节点的逻辑电压设置内部数据输出线的逻辑电压的锁存输出路径。
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公开(公告)号：CN101458954A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101197190A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710306192.9
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5646
Abstract: 一种对多层非易失性存储器编程的方法。多个多位存储单元能够存储不同层的可用于表示数据的电荷，所述由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示的数据被首先以LSB然后以MSB编程。当编程过的存储单元具有小于电压VR1的阈值电压时存储第一值，当具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压时存储第二值，当具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压时存储第三值。当期望存储单元存储第四值时，每一个单元具有大于电压VR3的阈值电压。VR1小于VR2，VR2小于VR3。标识单元被编程为具有大于VR3的阈值电压以指示MSB数据已经被编程。
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公开(公告)号：CN102194793B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110041963.2
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/11519 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维半导体器件，包括在基板上二维布置的堆叠结构、包括第一互连且设置在堆叠结构上的第一互连层以及包括第二互连且设置在第一互连层上的第二互连层。每个堆叠结构具有包括多个堆叠下部字线的下部区和包括设置在堆叠下部字线上的多个堆叠上部字线的上部区。每个第一互连连接到一条下部字线，每个第二互连连接到一条上部字线。
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公开(公告)号：CN101174462B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710159635.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)的数据。使用LSB数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三或第四值具有大于VR2的阈值电压。使用MSB数据编程存储单元，使得阈值电压对于第一值小于VR1，对于第二值大于VR1且小于VR2，对于第三值大于VR2且小于VR3，对于第四值大于VR3。VR1小于VR2，VR2小于VR3。编程标识单元以显示是否已经编程MSB数据。
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公开(公告)号：CN102385919A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110248599.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3445 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/16 , H01L29/792
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。
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公开(公告)号：CN102148058A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010616568.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418
Abstract: 集成电路存储器件包括非易失性N位存储单元阵列，其中N为大于1的整数。还提供控制电路以从N位存储单元中可靠地读取数据。此外，该控制电路电耦接到所述阵列，它被配置为用于确定在阵列的所选择的N位存储单元中所存储数据的至少一位的数值。这可以通过利用在读操作期间被应用于所选择的N位存储单元的相应多个不相等的读电压对从所选择的N位存储单元中读取的至少一个硬数据和多个软数据(例如，6个数据值)进行解码来实现。
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