公开(公告)号：CN111477609A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010075061.X

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈揆理 ,  罗太熙

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻存储器装置，包括：沿第一方向布置的存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括第一存储器单元堆叠和第二存储器单元堆叠。存储器单元堆叠中的每一个包括多条字线和连接到多条字线中的每一条的存储器单元，多条字线中的每一条在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向布置。存储器单元中的每一个包括开关元件和可变电阻元件。第一存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上具有第一厚度，第一厚度小于第二存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上的第二厚度。

公开(公告)号：CN109754835A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811239202.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  罗太熙 ,  鲜于桢 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。