公开(公告)号：CN112099730A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010263658.7

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金志烘 ,  李庚德 ,  沈荣燮 ,  权起禄 ,  金明奭

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。

公开(公告)号：CN109509490A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201910018564.0

申请日：2017-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈东燮 ,  尹弼相 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  沈荣燮 ,  韩真晚

IPC: G11C7/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  G11C29/02 ,  G11C29/50

Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。

公开(公告)号：CN109493911A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811022123.X

申请日：2018-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方光奎 ,  沈荣燮 ,  姜熙烨 ,  李庚德

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/00

CPC classification number: G06F11/006 ,  G06F3/0653 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0772 ,  G06F11/0787 ,  G11C29/44 ,  G11C29/82

Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器件接收关于操作失败的信息，从非易失性存储器件接收锁出状态信息，基于锁出状态信息确定是否输出了锁出信号，以及根据确定结果将与关于操作失败的信息相对应的失败块确定为正常块或坏块。

公开(公告)号：CN108694989A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810249317.7

申请日：2018-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  沈荣燮

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/44 ,  G11C29/38 ,  G11C29/789 ,  G11C29/56008 ,  G11C29/82

Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备在选定的存储单元的编程操作期间检测多个目标状态中的至少一个目标状态的状态通过循环的循环计数，并且基于检测到的状态通过循环的循环计数来生成指示编程操作是否成功的状态循环计数信息(SLCI)；以及存储控制器，其响应于检测到操作条件或外部命令，向非易失性存储器设备请求状态循环计数信息，并且基于来自非易失性存储器设备的状态循环计数信息，将包括选定的存储单元的存储块指派为坏块。