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公开(公告)号：CN114944416A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210136515.9
申请日：2022-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了传感器嵌入式显示面板和显示装置。一种传感器嵌入式显示面板包括：基板；在基板上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，该第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件包括单独的、相应的发光层；以及在基板上的包括光吸收层的光吸收传感器，该光吸收层沿着基板的表面方向平行于发光层，其中第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器包括连续地设置在发光层和光吸收层上的第一公共辅助层、以及在第一公共辅助层上并配置为向第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器施加公共电压的公共电极，光吸收传感器还包括在光吸收层和第一公共辅助层之间并包括n型半导体的n型半导体层。
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公开(公告)号：CN114520299A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111390463.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供发光器件和包括其的电子设备，所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括i)第一发射层以及ii)位于所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层，所述第一发射层与所述第二发射层直接接触，所述第一发射层包括掺杂剂、第一空穴传输化合物、和第一化合物，所述第二发射层包括掺杂剂、第二空穴传输化合物、和第二化合物，包括在所述第一发射层中的掺杂剂和包括在所述第二发射层中的掺杂剂彼此相同，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，并且在所述第二空穴传输化合物的HOMO能级和所述第二化合物的HOMO能级之间的差的绝对值为约0.3eV或更小。
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公开(公告)号：CN102738237A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN1655057B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200410102383.X
申请日：2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机-无机混合电致发光装置中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101855727A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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公开(公告)号：CN101308867A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096571.4
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/349 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42348 , H01L29/42352 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。
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公开(公告)号：CN118284092A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311828233.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K85/60 , H10K85/30 , H10K101/25 , H10K101/00
Abstract: 发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括发射层，所述发射层包括m1种主体、敏化剂、和荧光发射体，其中m1为1或更大的整数，和当m1为2或更大时，两种或更多种主体彼此不同，并且所述m1种主体、所述敏化剂、和所述荧光发射体彼此不同，并且满足表达式1。表达式1与本说明书中描述的相同。表达式10德拜≤|PDM(S)‑PDM(H)|≤3德拜。
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公开(公告)号：CN117479566A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310943274.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K85/30 , H10K101/30 , H10K101/00 , H10K101/40
Abstract: 公开组合物、包括其的发光器件、和包括所述发光器件的电子设备。所述组合物包括m1种掺杂剂；和m2种主体，其中m1和m2各自为1或更大的整数，当m1为2或更大时，两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，两种或更多种主体彼此不同，并且所述组合物具有由如本文中定义的(X,Y)表示的改进图像的坐标。
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公开(公告)号：CN117479565A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310937852.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K101/40
Abstract: 公开发光器件和包括所述发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层，其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体，并且m1和m2各自为1或更大，当m1为2或更大时，则两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，则两种或更多种主体彼此不同，并且所述发光器件满足条件1，其中条件1可通过参照本文中提供的描述而理解。条件10德拜·V≤DMEML×(Vop‑Vinj)≤3.41德拜·V。
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