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公开(公告)号：CN103151069B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201210520121.X
申请日：2012-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN103093818B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210436459.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1016 , G06F11/08 , G06F11/10 , G06F11/1008 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F11/1076 , G06F11/108 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418 , H03M13/151 , H03M13/1525 , H03M13/1545
Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。
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公开(公告)号：CN105321572A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510388394.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间-读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间-读取电平查找表；由于确定需要调整时间-读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间-读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间-读取电平查找表执行第二读操作。
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公开(公告)号：CN105097034A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510242148.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储系统以及存储控制器的操作方法。该非易失性存储系统包括存储控制器和具有多个存储单元的非易失性存储装置。存储控制器被构造为对时钟计数以生成当前时间、在断电状态下在所述多个存储单元中的预定存储单元中编程虚拟数据、当在断电状态之后出现上电状态时检测预定存储单元的电荷逸失，并基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间。
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公开(公告)号：CN102831076A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210196929.7
申请日：2012-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C2211/5641
Abstract: 公开了一种用于包括多位存储设备和存储控制器的数据存储设备的片上缓冲编程方法。该片上缓冲编程方法包括：测量数据存储设备的性能；判断所测量的性能是否满足数据存储设备的目标性能；以及根据判断结果选择多个调度方式中的一个作为数据存储设备的片上缓冲编程调度方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479556A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110363250.8
申请日：2011-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5642 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C16/26
Abstract: 在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。
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公开(公告)号：CN102290105A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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公开(公告)号：CN116153373A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211464903.6
申请日：2022-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：第一非易失性存储器装置；第二非易失性存储器装置；第三非易失性存储器装置；和存储控制器，被配置为：控制第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和第三非易失性存储器装置，控制第一非易失性存储器装置在第一软擦除操作之后提取第一导通单元计数值，基于相应的第一导通单元计数值至第三导通单元计数值来设置相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移，选择各自对应于相应的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移的第一防御码参数集至第三防御码参数集，并且基于第一防御码参数集至第三防御码参数集发送第一读取命令至第三读取命令。
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公开(公告)号：CN116129954A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211389817.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了存储器封装件、存储器装置及其操作方法。所述存储器封装件包括：印制电路板；第一存储器装置，堆叠在印制电路板上；以及第二存储器装置，堆叠在第一存储器装置上。第一存储器装置包括第一一次性可编程(OTP)块，第二存储器装置包括与第一OTP块不同的第二OTP块，并且从第一存储器装置的一侧到第一OTP块的水平距离不同于从第二存储器装置的一侧到第二OTP块的水平距离。
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公开(公告)号：CN106558343B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610842047.1
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置。所述操作非易失性存储装置的方法的步骤包括：对多个存储块中的第一存储块执行第一存储操作；当在完成第一存储操作之后在等于或大于参考区间的区间期间状态信号指示非易失性存储装置的就绪状态时，对第一存储块的一部分执行固化操作。所述非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括相对于基底沿垂直方向延伸的多个垂直串。
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