公开(公告)号：CN101000868A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610171239.0

申请日：2006-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  朱胜镛

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/0268 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种能够使结晶化硅中晶界数量最小化的硅结晶化用的掩模、一种使用该掩模用于结晶化硅的方法、以及一种显示设备。掩模包括：相对于扫描方向以预定角度倾斜的一组狭缝；以及包括相对于前一组狭缝以预定角度倾斜的狭缝的一组狭缝。这些狭缝组沿扫描方向间隔一定的间隔，并且将基板和/或掩模在通过狭缝的激光照射之间移动所述间隔。通过减小在基板上水平地或垂直地延伸的晶界的数目，本发明消除了与顺序侧向固化(SLS)技术中的方向性的各向异性有关的设计限制。

公开(公告)号：CN1754253A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480005096.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/324

CPC classification number: B23K26/0676 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。

公开(公告)号：CN1742360A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380101946.7

申请日：2003-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01S3/10 ,  B23K26/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48

CPC classification number: H01L27/1285 ,  B23K26/02 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。

公开(公告)号：CN1630027A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410094884.8

申请日：2004-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秀卿 ,  金县裁 ,  姜明求

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。

公开(公告)号：CN1655056B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510064031.4

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  姜明求 ,  李在馥

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。

公开(公告)号：CN1586013B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN02822606.2

申请日：2002-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金裁 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S260/35

Abstract: 用于形成多晶硅的掩模包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8*d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。

公开(公告)号：CN100566907C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710135765.6

申请日：2003-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金县裁

IPC: B23K26/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L27/1285 ,  B23K26/02 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。

公开(公告)号：CN100437940C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480005096.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0676 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。

公开(公告)号：CN100397660C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN02825279.9

申请日：2002-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔埈厚 ,  崔凡洛 ,  姜明求 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。

公开(公告)号：CN1819004A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510123391.7

申请日：2005-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  张林泰 ,  李重先 ,  朴钟和

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2330/026 ,  G09G2330/12

Abstract: 一种显示装置，包括数据驱动器、反相器、显示面板、和拦截单元。数据驱动器用于提供图像信号，并且扫描驱动器用于产生对应于图像信号的控制信号。反相器用于提供反相控制信号。显示面板具有PMOS晶体管，其用于基于反相控制信号提供图像信号到像素电极。拦截单元用于拦截传送到PMOS晶体管的异常信号。因此，可以拦截具有异常电压电平的信号，以防止由于异常电压电平而导致的显示缺陷。