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公开(公告)号：CN101046982A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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公开(公告)号：CN1316456C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410082257.2
申请日：2004-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 提供一种磁记录介质。该介质包括磁记录层和支承磁记录层的衬底，其中磁记录层由多孔晶体隔离薄膜构成，该薄膜能够通过微孔磁性地及物理地隔离晶体，其中所述孔的尺寸的标准偏差不大于注入所述孔内的磁记录材料的晶粒尺寸的30%。从Co、Fe、Ni、Cr、Pt、Pd、Ti、Ta、Ru、Si、Al、Nb、B、Nd、Sm以及Pr中选出的一种过渡金属元素或该元素的合金被注入孔内。该磁记录介质具有良好的热稳定性和S/N特性。
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公开(公告)号：CN1835081A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610057582.2
申请日：2006-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/66 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头和一种使用该垂直磁记录头来记录数据的记录介质。该垂直磁记录头包括：主极，其下端具有预定的宽度t1；返回极，其上端与主极连接，而其下端与主极的下端隔开预定的间隙g1；子轭，其下端从主极的下端在向上的方向上凹进预定的深度d1；线圈，缠绕在主极和子轭的周围；磁屏蔽层；读取器件，位于磁屏蔽层之间，其中，凹进深度d1与宽度t1之比(d1/t1)小于或等于6。
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公开(公告)号：CN1471086A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148406.9
申请日：2003-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁记录介质包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。由于使用了三层的垂直定位衬层，所以获得了Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101339770B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810108834.9
申请日：2008-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/02 , G11B2005/001
Abstract: 提供了一种增加硬盘驱动器的记录密度的方法及其控制装置。所述方法包括：将与记录信号相应的记录电流施加到硬盘驱动器(HDD)的磁头；以及当记录电流达到临界值时将施加到磁头的电流值限制为临界值。在该方法中，通过使用过冲记录电流来减少上升时间并且当实际记录电流达到临界值时将记录电流限制为临界值。因此，可以在低记录频率减少写磁道宽度(WTW)，从而增加每英寸磁道数(TPI)。
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公开(公告)号：CN100527227C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN03148406.9
申请日：2003-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁记录介质包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。由于使用了三层的垂直定位衬层，所以获得了Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。
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公开(公告)号：CN101339770A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810108834.9
申请日：2008-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/02 , G11B2005/001
Abstract: 提供了一种增加硬盘驱动器的记录密度的方法及其控制装置。所述方法包括：将与记录信号相应的记录电流施加到硬盘驱动器(HDD)的磁头；以及当记录电流达到临界值时将施加到磁头的电流值限制为临界值。在该方法中，通过使用过冲记录电流来减少上升时间并且当实际记录电流达到临界值时将记录电流限制为临界值。因此，可以在低记录频率减少写磁道宽度(WTW)，从而增加每英寸磁道数(TPI)。
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公开(公告)号：CN100371993C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN03147267.2
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁记录介质，其中，将垂直磁记录层设置在基质上，而将软磁层设置在基质和垂直磁记录层之间。在垂直磁记录介质中，将软磁定向层设置在软磁层和基质之间，以在磁性上对软磁层定向。因此，虽然软磁层很薄，它仍具有稳定的磁特性，并产生较小的噪音。
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公开(公告)号：CN100351906C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410103738.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/653 , G11B5/656 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。
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