-
公开(公告)号：CN118421318A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410023611.1
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/00
Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。
-
公开(公告)号：CN118216097A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074957.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/08 , H04B7/06 , H04B17/318 , H04B17/336 , H04W52/02 , H04W88/06 , H04L65/1066 , H04L65/80
Abstract: 示例性电子装置包括多个天线和用于通过多个天线与第一通信网络或第二通信网络通信的至少一个通信处理器，其中，至少一个通信处理器能够被配置为使得电子装置可以通过第一通信网络与外部电子装置建立呼叫，电子装置可以检查在与外部电子装置的呼叫被连接的状态下与通信质量相关的信息，并且基于确认与通信质量相关的信息满足指定条件而执行减少多个天线中用于接收的天线的数量的操作。
-
公开(公告)号：CN116904990A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310178446.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 东友精细化工有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。
-
公开(公告)号：CN116472744A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180078654.4
申请日：2021-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W36/00
Abstract: 根据各种实施例，一种电子装置包括用于支持第一无线电接入技术(RAT)和第二RAT的至少一个处理器，其中所述至少一个处理器可以被配置为：基于所述第一RAT，从网络接收包括测量对象(MO)的无线电资源控制(RRC)重新配置消息；基于识别出所述第一RAT和所述第二RAT的双连接(DC)处于受限状态，对基于所述MO识别的基于所述第二RAT的至少一个频率中满足与独立(SA)模式相关联的条件的至少一个第一频率执行测量；以及避免对所述至少一个频率中不满足所述条件的至少一个第二频率的测量。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102117698A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
-
公开(公告)号：CN1949482A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610132163.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/90 , H01L21/0334 , H01L21/31144 , H01L27/10852
Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
-
公开(公告)号：CN110277314B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910127992.7
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 易案爱富科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C23C14/48
Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。
-
公开(公告)号：CN116891747A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350701.7
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213 , C09K13/06
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑6中，Ar1、X1至X3、Y1、T1、T1a、R2、Z1、a1和A1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116472772A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180072194.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W72/12
Abstract: 根据多种实施例，一种电子装置包括：至少一个处理器；以及RF电路，被配置为处理与耦合到所述至少一个处理器的第一SIM相关联的数据分组以及与耦合到所述至少一个处理器的第二SIM相关联的数据分组，其中所述至少一个处理器可以被配置为：建立对应于第一SIM的第一PDU会话；建立对应于第二SIM的第二PDU会话；基于第一PDU会话的网络切片类型是特定的第一类型，预先存储第一PDU会话的第一信息；以及基于对处理与对应于所存储的第一信息的第一SIM相关联的第一数据分组的请求，通过使用RF电路来处理与第一SIM相关联的第一数据分组，同时延迟与第二SIM相关联的操作的执行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.036 seconds)
