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公开(公告)号：CN113540165A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110381318.9
申请日：2021-04-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层，设置在基底上；第一栅极绝缘层，设置在第一有源层上；氧化物层，设置在第一栅极绝缘层上，并且包括氧化物半导体；第一栅电极，设置在氧化物层上；第二栅极绝缘层，设置在第一栅电极和第二有源层上；以及第二栅电极，在基底的厚度方向上与第二有源层叠置，并且设置在第二栅极绝缘层上，其中，在厚度方向上，氧化物层与第一有源层叠置，并且不与第二有源层叠置。
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公开(公告)号：CN113257870A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110167819.7
申请日：2021-02-07
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本公开涉及一种显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；第一导电层，位于基底上并且包括第一信号线；绝缘层图案，位于述第一导电层上；半导体图案，位于绝缘层图案上；栅极绝缘层，位于半导体图案上；以及第二导电层，包括位于栅极绝缘层上的栅极电极、以及第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极各自位于半导体图案的至少一部分上，其中，绝缘层图案和半导体图案具有相同的平面形状，半导体图案包括与栅极电极重叠的沟道区、位于沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区和位于沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极电极电连接第一源极/漏极区和第一信号线。
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公开(公告)号：CN113161393A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110088930.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本公开涉及显示装置，根据本公开的实施例的显示装置包括：基底；第一导电层，位于所述基底上；第一绝缘层，位于所述第一导电层上；有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且所述有源图案包括半导体材料；第二绝缘层，位于所述有源图案上；以及第二导电层，位于所述第二绝缘层上，其中，所述第一绝缘层具有暴露所述第一导电层的第一开口，所述第二绝缘层具有暴露所述第一导电层的第二开口，所述第一开口的宽度不同于所述第二开口的宽度，并且所述第一开口的侧表面和所述第二开口的侧表面被形成到所述第一导电层的顶表面。
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公开(公告)号：CN112420771A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010729414.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括弯折区，其中，弯折区包括穿过第一层间绝缘膜和第一栅极绝缘膜的弯折外围开口以及位于弯折外围开口中并且穿过第二层间绝缘膜和缓冲层以暴露衬底的弯折开口，弯折外围开口的第一侧壁包括第一层间绝缘膜的侧表面和第一栅极绝缘膜的侧表面，第二层间绝缘膜覆盖弯折外围开口的第一侧壁，弯折开口包括第二侧壁，其中，第二侧壁包括缓冲层的侧表面和第二层间绝缘膜的与缓冲层的侧表面对齐的侧表面的部分，并且第一通过层填充弯折开口。
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公开(公告)号：CN111668259A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010139380.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 根据发明的一个方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：多个像素，分别结合到扫描线和与扫描线相交的数据线，其中，多个像素中的至少一些像素包括驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管包括：基底；第一绝缘层，设置在基底上；第一有源层，设置在第一绝缘层上；第一栅电极，设置在第一有源层上；以及第一源电极和第一漏电极，电连接到第一有源层，第一漏电极与第一源电极间隔开第一距离，并且开关晶体管包括：第二栅电极，设置在基底与第一绝缘层之间；第二有源层，与第一有源层设置在同一层上；以及第二源电极和第二漏电极，电连接到第二有源层，第二漏电极与第二源电极间隔开与第一距离不同的第二距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092103A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911004172.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底和设置在基底上的像素。像素包括第一晶体管、电连接到第一晶体管的第二晶体管、电连接到第一晶体管的第三晶体管以及电连接第一晶体管和第三晶体管中的至少一个的发光二极管元件。第一晶体管包括第一半导体构件和第一栅电极。第一半导体构件包括氧化物半导体材料。第一栅电极设置在第一半导体构件与基底之间。第二晶体管包括第二半导体构件和第二栅电极。第二半导体构件包括所述氧化物半导体材料。第二半导体构件设置在第二栅电极与基底之间。第三晶体管包括包含硅的第三半导体构件。
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公开(公告)号：CN110838431A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910757073.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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公开(公告)号：CN110164918A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910111241.6
申请日：2019-02-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 有机发光显示设备，包括：基板、第一半导体元件、第二半导体元件、绝缘层结构、以及发光结构。基板具有第一区域和与第一区域邻接的第二区域。绝缘层结构设置在第二半导体元件的第二栅电极与第二有源层之间。绝缘层结构包括在相同蚀刻工艺中的具有第一蚀刻速率的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层上并具有小于第二蚀刻速率的第三蚀刻速率的第三绝缘层。发光结构设置在绝缘层结构上。
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公开(公告)号：CN108428718A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810054537.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极、第二半导体图案和第二控制电极重叠。
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公开(公告)号：CN110943107B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910880054.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供一种显示装置和一种制造所述显示装置的方法，所述显示装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在基体基底上；过孔绝缘层，设置在第一薄膜晶体管上；以及发光结构，设置在过孔绝缘层上。第一薄膜晶体管包括：第一栅电极；氧化物半导体，与第一栅电极叠置并且包括锡(Sn)；蚀刻停止件，设置在氧化物半导体上，并且包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体材料；第一源电极，与氧化物半导体接触；以及第一漏电极，与氧化物半导体接触，并且与第一源电极间隔开。
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