公开(公告)号：CN105940601B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201580005901.2

申请日：2015-02-23

Applicant: KELK株式会社

Inventor： 海部宏昌 ,  八马弘邦

IPC: H02N11/00 ,  H01L35/28

CPC classification number: H01L35/10 ,  G01K7/02 ,  H01L35/32 ,  H02M3/155 ,  H02M7/48 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够通过简易的构成来延长热电发电元件的寿命的热电发电装置以及热电发电方法。因此，本发明是使用热电发电元件(10)将热能变换为电能来输出的热电发电装置(1)，具备：测量热电发电元件(10)的高温侧温度(Th)的温度传感器(10a)；以及在高温侧温度(Th)超过规定温度的情况下，进行使返回到热电发电元件10的电流量增大的控制的温度控制部(17)。温度控制部(7)为了使返回到该热电发电元件(10)的电流量增大，例如使开闭开关(SW)闭合(接通)。

公开(公告)号：CN104603965A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046872.5

申请日：2013-09-12

Applicant: KELK株式会社

Inventor： 寺内康祐 ,  山梨正孝 ,  石川秀行 ,  小西明夫

IPC: H01L35/08 ,  H01L35/10 ,  H01L35/32 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01S5/02415

Abstract: 提供一种能够利用高熔点焊料进行安装的激光二极管用珀耳贴模块。激光二极管用珀耳贴模块(10)具备：散热侧的基板(1a)；散热侧的电极(2a)；p型热电转换元件(3a)及n型热电转换元件(3b)；接合焊料层(4)；以及含Ni的层(5)。接合焊料层(4)配置在散热侧的电极(2a)与p型热电转换元件(3a)及散热侧的电极(2a)与n型热电转换元件(3b)之间，并且具有含Au及Sn的Ni金属间化合物(41)、Au5Sn金属间化合物(42)、和包含Au5Sn金属间化合物及AuSn金属间化合物的共晶组成(43)。含Ni的层(5)分别配置在接合焊料层(4)与散热侧的电极(2a)之间、以及接合焊料层(4)与p型热电转换元件(3a)及接合焊料层(4)与n型热电转换元件(3b)之间。接合焊料层(4)的共晶比率为15.1％以下。

公开(公告)号：CN102203905A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980144307.6

申请日：2009-11-09

Applicant: KELK株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 武知弘明 ,  高桥典夫 ,  清泽航 ,  圆山重直 ,  小宫敦树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的温度控制装置，其通过使硅晶片等半导体晶片的基底温度高速上升至目标温度或下降至目标温度，由此使半导体设备的制造时间缩短，且使半导体晶片的面内的温度分布精度良好地为所期望的温度分布(使面内均匀或使面内温度分布在各部分不同)，从而能够高品质地制造半导体设备，进而能量效率优秀，从而能够简易地构成装置。控制机构在使半导体晶片的温度上升而控制为目标温度时，切换到使比高温槽内的目标温度高的温度的高温循环液向工作台内的流路供给，并使半导体晶片的温度与目标温度一致且使半导体晶片的面内温度分布成为期望温度分布的方式来控制各多个区域的热电元件。

公开(公告)号：CN101868867A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117167.9

申请日：2008-11-14

Applicant: KELK株式会社

Inventor： 小西明夫

IPC: H01L35/32

CPC classification number: H01L35/32

Abstract: 本发明提供一种热电组件。热电元件不配置在基板的对置面中的中央区域，而以密状态配置在除了中央区域的区域、即包围中央区域的周边区域或外周区域。在对置面的中央配置有热电元件的情况与在对置面的除了中央区域的区域配置有热电元件的情况进行比较，与前者相比，后者成为弯曲的基点的热电元件位于更靠外周侧，即，弯曲的基点与基板的外周的距离变短。弯曲的基点与基板的外周的距离越短，在基板的外周产生的弯曲的位移量及力越小。并且，通过将热电元件密配置，使由基板的弯曲而产生的拉伸每一个热电元件的力变小。如此，通过降低在基板的外周产生的弯曲的位移量及力来防止基板的弯曲引起的热电元件的损伤。

公开(公告)号：CN101558505A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780040907.9

申请日：2007-10-22

Applicant: KELK株式会社

Inventor： 小西明夫 ,  山梨正孝 ,  一启文 ,  藤川晋吾

IPC: H01L35/32 ,  F25B21/02 ,  H01L23/38 ,  H01L35/30

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/04 ,  H01L35/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在利用了珀耳帖效应的热电模块(1)中，对元件占有面积率为40％以下的热电模块，在金属化层(4a、4b)加入狭缝，该元件占有面积率用相对于通过金属化层(4a)连接冷却对象的绝缘基板(2a)的面积的、与热电元件(5a、5b)的电流通电方向垂直的剖面面积的总合的比例来定义。根据这样的结构，能防止由于装配时产生的热应力或封装等的安装、或者为了安装被冷却物而预先进行预焊接时的热应力，引起的热电元件的破损。