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    用于集成电路板的定位装置和用于包括这种定位装置的集成电路板的检测装置
    23.
    发明授权
    用于集成电路板的定位装置和用于包括这种定位装置的集成电路板的检测装置 有权

    公开(公告)号：CN109313231B

    公开(公告)日：2021-07-09

    申请号：CN201780037424.7

    申请日：2017-06-01

    Applicant: 统一半导体公司

    Inventor： 西尔万·珀蒂格朗德

    IPC: G01R31/28 ,  H01L21/68

    Abstract: 本发明涉及一种用于定位集成电路晶片(W)的定位装置(100)，包括：‑称为上基座的基座(102)和称为下基座的基座(106)，所述基座在称为垂直方向的方向(Z)上彼此相距一定距离布置，以便在所述基座(102，106)之间产生自由空间；‑支撑件(110)，其能够在上基座(102)和下基座(106)之间移动，并包括用于接收待检测的所述电路板(W)的接收位置(112)；‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第一装置(118)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述上基座(102)或与所述上基座(102)配合；和‑用于定位所述支撑件(110)的至少一个第二装置(122)，其在垂直方向(Z)上抵靠所述下基座(106)或与所述下基座(106)配合。本发明还涉及一种用于检测使用这种定位装置的集成电路板的装置。

    用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法
    24.
    发明授权
    用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN106796099B

    公开(公告)日：2020-11-03

    申请号：CN201580052115.8

    申请日：2015-09-18

    Applicant: 统一半导体公司

    Inventor： 吉莱斯·弗莱斯阔特

    IPC: G01B9/02 ,  G01B11/24 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

    Abstract: 本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器，其包括(i)轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；(ii)成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。

    用于检查包括非相似材料的对象的表面的方法和装置
    25.
    发明公开
    用于检查包括非相似材料的对象的表面的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN111868471A

    公开(公告)日：2020-10-30

    申请号：CN201980017172.0

    申请日：2019-01-25

    Applicant: 统一半导体公司 ,  原子能和替代能源委员会

    Inventor： 珍-弗朗索瓦·布朗热 ,  斯特凡·戈德尼

    IPC: G01B9/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

    Abstract: 本发明涉及一种用于测量待测量对象(300)的表面(400)的轮廓的方法(100)，所述表面尤其包括由至少两种不同材料制成的区域，待测对象(300)形成多个基本上相同的对象的部分，多个对象还包括具有至少一个参考表面的至少一个参考对象(304、306)，所述方法(100)包括以下步骤：根据第一参考表面的第一轮廓信号和第二参考表面的第二轮廓信号，确定(102)校正函数，所述第二参考表面被金属涂覆；获取(110)待测对象的表面的轮廓信号；以及将校正函数应用(116)于待测对象(300)的表面(400)的轮廓信号，以获得经校正的轮廓信号；所述轮廓信号是从干涉测量(104、112)获得的。本发明还涉及一种用于使用这种方法来测量对象的表面的轮廓的装置。

    用于诸如晶片等对象的2D/3D检测的方法
    26.
    发明公开
    用于诸如晶片等对象的2D/3D检测的方法 无效

    公开(公告)号：CN108885095A

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201780019774.0

    申请日：2017-03-13

    Applicant: 统一半导体公司

    Inventor： 吉莱斯·弗莱斯阔特 ,  阿兰·库特维尔 ,  菲利普·加斯塔尔多

    IPC: G01B11/24 ,  G02B21/00 ,  G01N21/956 ,  H01L21/66

    Abstract: 本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法，其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13)，色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处，该方法包括以下步骤：通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度，来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处，实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。

    用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统
    27.
    发明授权
    用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统 有权

    公开(公告)号：CN107076547B

    公开(公告)日：2018-09-14

    申请号：CN201580052310.0

    申请日：2015-09-29

    Applicant: 统一半导体公司

    Inventor： 马约·杜朗德热维涅 ,  菲利普·加斯塔尔多

    IPC: G01B11/24 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95

    Abstract: 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。

    用于表征在衬底中蚀刻的结构的方法和系统
    29.
    发明公开
    用于表征在衬底中蚀刻的结构的方法和系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN119156515A

    公开(公告)日：2024-12-17

    申请号：CN202380041513.4

    申请日：2023-05-04

    Applicant: 统一半导体公司

    Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫

    IPC: G01B9/0209

    Abstract: 本发明涉及一种用于表征在衬底中（例如晶圆）蚀刻的结构的方法（200），对于至少一个结构，所述方法（200）包括：‑至少一个干涉测量步骤（106、108），该干涉测量步骤利用位于所述衬底的顶侧上的低相干干涉仪执行，用于利用测量光束测量与所述HAR结构的深度相关的至少一个深度数据；其中所述方法（200）还包括第一调整步骤（104），其用于根据与所述HAR结构的宽度相关的至少一个顶部‑CD数据来调整测量光束在所述顶面处的直径。本发明还涉及实现这种方法的系统。

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