公开(公告)号：CN101057298A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038024.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： D·赖纳森 ,  C·J·谢瓦利耶 ,  W·金尼 ,  R·兰伯特森 ,  S·W·龙科尔 ,  J·E·小桑切斯 ,  L·施洛斯 ,  P·F·S·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C16/02 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/8616 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。

公开(公告)号：CN101057298B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200580038024.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： D·赖纳森 ,  C·J·谢瓦利耶 ,  W·金尼 ,  R·兰伯特森 ,  S·W·龙科尔 ,  J·E·小桑切斯 ,  L·施洛斯 ,  P·F·S·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C16/02 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/8616 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。

公开(公告)号：CN1977337A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200480043484.2

申请日：2004-05-03

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： C·J·舍瓦利耶 ,  W·I·金尼 ,  S·W·龙科尔 ,  D·里纳森 ,  J·E·小桑切兹 ,  P·斯沃布 ,  E·R·沃德

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74

Abstract: 提供一种存储器(3700)。存储器包括非易失性存储单元阵列(3720)，每个存储单元包括两端子存储器插塞，存储器插塞在施加第一写电压脉冲时从第一电阻状态切换到第二电阻状态，并且在施加第二写电压脉冲时，相反地从第二电阻状态切换到第一电阻状态。