公开(公告)号：CN119156514A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380041531.2

申请日：2023-05-04

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫 ,  阿兰·库特维尔

IPC: G01B9/02015 ,  G01B11/02 ,  G01B9/04 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明涉及用于表征在诸如晶圆之类的衬底（102）中蚀刻的结构（104）的方法（200、300、400），该方法（200、300）包括以下步骤：‑使用从光源（130）发出的照射光束，照射（202）至少一个结构（104）的底部（105），该光源发射具有适于透射通过该衬底（102）的波长的光，‑利用位于所述衬底（102）的底侧（108）上的成像设备（120、122、124），通过该衬底（102）获取（204、206）所述至少一个结构（104）的底部（105）的至少一个图像，以及‑从所获取的至少一个图像测量（210）与所述至少一个HAR结构（104）的底部（105）的横向尺寸相关的至少一个数据，该数据被称为横向数据。本发明还涉及实施这种方法的系统。

公开(公告)号：CN119213275A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041502.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫

IPC: G01B9/0209 ,  G01B11/02 ,  G01B9/02015

Abstract: 本发明涉及一种用于表征在衬底中（例如晶圆）蚀刻的结构的方法（100），对于在所述衬底中蚀刻的至少一个结构，所述方法（100）包括：‑至少一个成像步骤（102），所述成像步骤包括以下步骤：利用位于所述衬底的顶侧的成像设备捕获（104）所述衬底的顶表面的至少一个图像，以及#imgabs0#从至少一个所捕获的图像中测量（106‑110）与所述结构相关的第一数据；‑至少一个干涉测量步骤（130），该干涉测量步骤利用位于所述顶侧上的低相干干涉仪来执行，用于利用位于所述结构上的测量光束来测量与所述的结构的深度相关的至少一个深度数据；其中，所述方法（100）还包括用于根据所述第一数据来调整所述测量光束的第一调整步骤（120）。本发明还涉及实现这种方法的系统。

公开(公告)号：CN119156515A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380041513.4

申请日：2023-05-04

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫

IPC: G01B9/0209

Abstract: 本发明涉及一种用于表征在衬底中（例如晶圆）蚀刻的结构的方法（200），对于至少一个结构，所述方法（200）包括：‑至少一个干涉测量步骤（106、108），该干涉测量步骤利用位于所述衬底的顶侧上的低相干干涉仪执行，用于利用测量光束测量与所述HAR结构的深度相关的至少一个深度数据；其中所述方法（200）还包括第一调整步骤（104），其用于根据与所述HAR结构的宽度相关的至少一个顶部‑CD数据来调整测量光束在所述顶面处的直径。本发明还涉及实现这种方法的系统。