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公开(公告)号：CN108465975B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810240273.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种钇铁石榴石铁氧体高温空气连接钎料及连接方法，所述连接钎料包括氧化铜、二氧化钛和金属银，且所述氧化铜的摩尔百分比为4％‑16％，所述二氧化钛的摩尔百分比为1％‑4％，余量为所述金属银。与现有技术比较，本发明的有益效果在于：通过在银‑氧化铜系钎料内添加活性金属氧化物二氧化钛，促进银‑氧化铜系钎料在钇铁石榴石铁氧体陶瓷上的润湿，且摩尔比4:1的氧化铜与二氧化钛能够使氧化铜或二氧化钛在焊缝内均匀分布，且使用此种钎料，能够使钇铁石榴石铁氧体连接更容易，且连接后强度高，使用温度也较高，与常用的Sn‑Ag‑Cu钎料相比，相同测试条件下，采用本发明钎料的连接接头使用温度提高了690℃‑750℃，室温剪切强度提高了20％。
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公开(公告)号：CN110887594A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911240158.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷/金属异质钎焊接头残余应力的表征方法，包括步骤：S1、采集待表征钎焊接头的连接参数；S2、选取与待表征钎焊接头的陶瓷母材同质的陶瓷η，切割、打磨得到待扩散连接陶瓷η；S3、将待扩散连接陶瓷η与金属片装配形成待扩散连接组件；S4、将待扩散连接组件切割形成应力表征片，将应力表征片替代陶瓷母材，并按步骤S1中所述连接参数进行钎焊连接，得到模仿连接组件；S5、将模仿连接组件切割得到测试件，测试所述测试件上包含的应力表征片的弯曲程度。本发明通过制备与待表征钎焊异质接头的工艺条件和焊缝微观组织完全相同的测试件，并利用应力表征片的弯曲程度来表征残余应力的大小，表征方法简单易行、测量准确度高。
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公开(公告)号：CN110722234A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910960930.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种镍钛基合金低温连接接头及其制备方法，属于低温焊接技术领域，所述镍钛基合金低温连接接头的制备方法，包括以下步骤：将镍钛基合金的待焊面进行打磨后，用洗液清洗；将金硅钎料用洗液清洗；将清洗后的金硅钎料置于清洗后的镍钛合金待焊面之间，用模具压紧，放入真空炉中；加热后冷却至室温，得到所述镍钛基合金低温连接接头。与现有技术比较，本发明采用金硅钎料作为焊接钎料，焊缝内形成纯金与弥散镍钛硅化合物的组织，实现了低温钎焊形成高熔点接头，获得的镍钛合金接头室温剪切强度可达130±7MPa，700℃剪切强度可达18±2MPa，且具有很好的生物相容性及耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN107199114B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710363194.5
申请日：2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备银纳米线透明电极的选择性去除不均匀短线的方法，属于柔性透明电极的技术领域。本发明方法：将银纳米线分散液滴涂在基底上，常温下静置至银纳米线分散液在基底上的润湿面积尚未收缩，使用溶剂清洗基底；然后常温下自然干燥，即完成选择性去除部分很短的银纳米线的操作。本发明利用银纳米线分散液中短线和长线向基底沉积的速率不同而选择性地分离短线，大幅度地降低了对导电性几乎无贡献的0‑10μm短线的比例，可以提高银纳米线透明电极的光电性能。此外，本发明具有操作简单，无需复杂设备，耗时短，试剂消耗少，成本低的优势。
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公开(公告)号：CN107127333B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710371668.0
申请日：2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过振荡和沉降提纯银纳米线的方法，属于银纳米线提纯技术领域。本发明要解决现有提纯银纳米线方法存在丙酮用量大、颗粒等杂质去除效果不好的技术问题。本发明的方法：一、向采用多元醇法制备的银纳米线母液中加入丙酮，振荡，去除上层溶液；二、然后加入蒸馏水，振荡至纳米线完全分散，再加入丙酮，振荡，去除上层溶液；三、若上层溶液浑浊，重复步骤二的操作至上层溶液完全澄清透明，去除上层溶液，即完成银纳米线的提纯。本发明将加入丙酮和振荡相结合，逐步分离纳米线溶液中的颗粒等杂质，极大提高了银纳米线的纯度，减少了丙酮用量，且无需静置，缩短了处理时间，操作步骤少，无需复杂设备，具有显著的低成本优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109291346A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811345730.X
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B29C39/02 , B29C39/22 , B29C39/26 , B29C39/36 , B29L2007/00
Abstract: 本发明公开了一种利于PDMS脱模的卡具及利用该卡具制备PDMS层的方法，属于聚合物薄膜技术领域。包括底板、中间板和永磁体；底板由顺磁性金属制作而成；底板的上表面设有凹槽，凹槽的深度大于中间板的厚度；凹槽向底板内壁中还延伸有多个沿凹槽周边均匀排布的脱模孔；中间板的形状与底板凹槽的形状相配合，中间板放置在底板的凹槽内，且能够覆盖凹槽底面并能从凹槽中取出；中间板由铁磁性物质制作而成；永磁体放置在底板的背部，用于吸引中间板将中间板的板面与底板的凹槽底面紧密贴合。本发明还提供了一种利用该卡具制备PDMS层的方法。本发明卡具成型效果好，脱模不易破裂，适用于制作PDMS层。
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公开(公告)号：CN105458437B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201511019435.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种阳极氧化辅助的低温玻璃钎焊方法，本发明要解决在使用低温玻璃钎料钎焊的过程中，由于钎料与母材化学相容性差或钎焊温度低、熔融玻璃钎料粘度大而导致的铺展润湿不充分问题。钎焊方法：一、低温封接玻璃粉放入模具中熔炼制成块体，得到低温玻璃块体；二、将低温封接玻璃块体切成薄片，待焊母材切割成型；三、对焊件进行超声清洗和打磨；四、对焊件进行阳极氧化及封孔处理；五、片状低温玻璃钎料放置在焊件的预连接位置；六、加热使焊膏熔化，保温后随炉冷却。本发明使用的片状低温玻璃封接温度低，线膨胀系数小，获得的钎焊接头无裂纹、气孔等宏观缺陷，强度高，同时阳极氧化形成的氧化膜对母材具有良好的保护作用。
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公开(公告)号：CN105418131B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201511023729.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接方法，本发明涉及一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接的方法，它为了解决现有钎焊氧化铝陶瓷的焊接温度较高，获得的接头连接强度较低的问题。钎焊连接方法：一、将Bi2O3、B2O3、ZnO和SiO2混合，得到低熔点铋酸盐玻璃粉；二、机械打磨氧化铝陶瓷，超声清洗得到预处理氧化铝陶瓷；三、制备生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷；四、将玻璃焊膏涂覆到生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷的表面；五、两块待焊氧化铝陶瓷件接触对齐；六、在480～650℃的温度下进行钎焊连接。本发明实现了在较低温度下对氧化铝陶瓷的连接，所采用玻璃钎料的热膨胀系数与氧化铝陶瓷相匹配，得到的焊接接头的剪切强度可达到60～100MPa，保证了氧化铝连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN107127333A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710371668.0
申请日：2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22F1/0025 , B22F1/0088 , B82Y40/00
Abstract: 一种通过振荡和沉降提纯银纳米线的方法，属于银纳米线提纯技术领域。本发明要解决现有提纯银纳米线方法存在丙酮用量大、颗粒等杂质去除效果不好的技术问题。本发明的方法：一、向采用多元醇法制备的银纳米线母液中加入丙酮，振荡，去除上层溶液；二、然后加入蒸馏水，振荡至纳米线完全分散，再加入丙酮，振荡，去除上层溶液；三、若上层溶液浑浊，重复步骤二的操作至上层溶液完全澄清透明，去除上层溶液，即完成银纳米线的提纯。本发明将加入丙酮和振荡相结合，逐步分离纳米线溶液中的颗粒等杂质，极大提高了银纳米线的纯度，减少了丙酮用量，且无需静置，缩短了处理时间，操作步骤少，无需复杂设备，具有显著的低成本优势。
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公开(公告)号：CN105195846B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510702499.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多尺度联合提高导电陶瓷基材料钎焊接头强度的方法，本发明涉及一种多尺度联合提高导电陶瓷基材料钎焊接头强度的方法。本发明是要解决现有导电陶瓷基材料钎焊方法连接的接头强度低、陶瓷基材料与金属的热膨胀系数差异所导致的残余应力大、可靠性低的问题，方法为：一、导电陶瓷基母材连接面表面处理；二、配制钎料；三、钎料放置；四、真空钎焊连接，即完成。本发明通过宏观尺度和微观尺度的联合作用，最大程度上缓解了接头应力，提高接头的强度可靠性。本方法获得的导电陶瓷基材料钎焊接头的抗压剪强度为155～265MPa，比采用常规平直界面和无增强相的钎焊接头强度提高了165％～345％。本发明应用于钎焊领域。
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