公开(公告)号：CN109012496A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811194667.4

申请日：2018-09-29

Applicant: 盐城师范学院

Inventor： 苗中正 ,  田利 ,  张立云

IPC: B01J3/06 ,  C01B32/26 ,  C01B32/19

CPC classification number: B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  C01B32/19 ,  C01B32/26 ,  C01B2204/04

Abstract: 本发明提供一种冲击波法制备金刚石薄膜的方法。利用氯化碘作为插层剂得到二阶石墨插层化合物，高温处理得到双层石墨烯材料；将双层石墨烯粉末与纯铜粉混合均匀并压制成块体后放入冲击回收装置中进行冲击加压，回收经过冲击的混合压制体，用硝酸除去铜，得到金刚石薄膜。本发明所述方法采用的双层石墨烯在受到冲击后，短时间内硬化成具有钻石般硬度的最薄的膜，可用于防护材料。以双层石墨烯为碳源可在较低的冲击压力范围内达到较高的金刚石转化率。

公开(公告)号：CN108474136A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007532.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 野原拓也 ,  辰巳夏生 ,  西林良树 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  植田晓彦

IPC: C30B29/04 ,  A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。

公开(公告)号：CN104903537A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068700.8

申请日：2013-11-15

Applicant: 史密斯国际有限公司

Inventor： Y·鲍 ,  A·加兰 ,  M·D·弗朗斯 ,  J·D·贝尔纳普

IPC: E21B10/46 ,  B24D3/10

CPC classification number: B01J3/06 ,  B22F7/062 ,  B22F2005/001 ,  B22F2999/00 ,  B23B27/148 ,  B23B27/20 ,  B24D3/00 ,  B24D18/0009 ,  C01B32/26 ,  C22C26/00 ,  E21B10/567 ,  B22F2303/35

Abstract: 一种形成多晶金刚石体的方法包括：将烧结剂与金刚石粉末混合以形成预混层，其中，所述烧结剂具有至少一种碱土金属碳酸盐；邻近所述预混层形成渗入层，其中，所述渗入层具有选自至少一种碱土金属碳酸盐的渗入材料；以及使所述预混层及渗入层经受高压高温条件。

公开(公告)号：CN108350357A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065671.3

申请日：2016-10-28

Applicant: ZKW集团有限责任公司

Inventor： P.哈特曼恩

IPC: C09K11/77 ,  C01B32/26 ,  F21S41/14 ,  F21S45/47 ,  F21S41/16

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C01B32/26 ,  C09K11/7792 ,  C30B29/04 ,  F21S41/14 ,  F21S41/16 ,  F21S45/47

Abstract: 本发明涉及一种用于发光设备、尤其用于机动车探照灯的发光设备的转换器（25，35，45，55，65，75，85，95，115，125），其中转换器具有用于将由初级光源放射的初级光至少部分地转换成次级光的转换材料（24，34，44，54，64，74，84，94，114，124），其中次级光具有与初级光不同的波长，其中转换器包括由多晶金刚石构成的面状的金刚石载体结构（20，30，40，50，60，70，80，90，110，120），所述金刚石具有多个金刚石柱状晶体（23，33，43，53，63，73，83，93，113，123），所述金刚石柱状晶体形成金刚石柱状组织，其中金刚石载体结构的区域（22，32，42，52，62，72，82，92，112，122）具有所述转换材料（24，34，44，54，64，74，84，94，114，124），并且在所述区域之间留有自由空间，所述自由空间能够实现所述初级光无转换地穿过所述金刚石载体结构。

公开(公告)号：CN105189346B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480025010.9

申请日：2014-03-14

Applicant: 西弗吉尼亚大学研究公司

Inventor： A·施蒂勒

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/184 ,  C01B32/26 ,  C01F7/58

CPC classification number: C01B32/25 ,  C01B32/05 ,  C01B32/184 ,  C01B32/26 ,  C01B32/36 ,  C01B32/914 ,  C01B32/942 ,  C01F7/58 ,  C01F11/28

Abstract: 本公开提供在约150℃至约750℃的温度下将来自盐样碳化物的碳化物阴离子或负离子氧化的方法。在另一方面，本公开提供与中间体过渡金属碳化物的反应。在又一方面，本公开提供一种反应系统，其中将盐样碳化物阴离子和中间体碳化物阴离子氧化以产生各种同素异形体的纯碳。

公开(公告)号：CN105531225B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201480049361.3

申请日：2014-09-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 滨口真基 ,  和田祥平

IPC: C01B32/05

CPC classification number: C01B32/26 ,  C01B32/05

Abstract: 本发明涉及碳材料的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使无灰煤氧化的氧化工序；将所述氧化工序中得到的氧化无灰煤和未氧化的无灰煤混合并成形的成形工序；使所述成形工序中得到的成形体碳化的碳化工序，所述氧化工序中得到的所述氧化无灰煤的氧增加率为2.0～10.0％，并且所述成形工序中的所述氧化无灰煤的混合比例相对于所述氧化无灰煤和所述未氧化的无灰煤的合计100质量份，为60～95质量份。根据该方法，能够制造具有高纯度且高密度的碳材料。