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公开(公告)号：CN103619755B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201280030717.X
申请日：2012-12-21
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01B31/0233 , B82B1/001 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/162 , Y10T428/2918 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及一种新型的碳纳米结构体二级结构物、其集合束及包含其的复合材料。本发明的二级结构物的特征在于，其通过多个碳纳米管CNS）整体或部分地组装成管形状而形成。本发明的新型的二级结构物、其集合束及包含其的复合材料高度适用于能源材料、功能性复合材料、电池、半导体等领域。
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公开(公告)号：CN103537293B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210241640.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: B01J23/888 , B01J23/34 , B01J23/30 , B01J23/652 , B01J23/89 , C01B31/02 , B82Y30/00
CPC classification number: B01J23/888 , B01J23/30 , B01J23/36 , B01J23/6527 , B01J23/8892 , B01J23/8993 , B01J37/08 , B01J37/18 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/22
Abstract: 本发明公开了一种用于制备手性选择性和导电性选择性单壁碳纳米管的催化剂，该催化剂为具有ABy化学组成的合金，A为金属钨W；B表示选自以下中一种或多种的金属：过渡金属锰、铁、钴、铜、锌、铬、钒、铑、钌，钯、铂、金、银、锇、铱，和镧系稀土金属；y为0.01-20.0。该催化剂可用于催化生长具有期望的手性和导电性的单壁碳纳米管。
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公开(公告)号：CN104512879A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410523204.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/889 , B01J23/881 , B01J23/882 , B01J23/883 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/8892 , B01J37/0045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明公开了碳纳米管及其制备方法。碳纳米管包括选自铝(Al)、镁(Mg)和硅(Si)中的至少一种元素和选自钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)、锰(Mn)和钼(Mo)中的至少一种金属，并具有通过拉曼光谱测得的1.10或更低的强度比(ID/IG)以及98％或更高的碳纯度。可以在碳纯度和制备产量方面控制通过该方法制备的碳纳米管，同时消除了对于后精制处理的需要。
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公开(公告)号：CN103619755A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280030717.X
申请日：2012-12-21
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01B31/0233 , B82B1/001 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/162 , Y10T428/2918 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及一种新型的碳纳米结构体二级结构物、其集合束及包含其的复合材料。本发明的二级结构物的特征在于，其通过多个碳纳米管（CNS）整体或部分地组装成管形状而形成。本发明的新型的二级结构物、其集合束及包含其的复合材料高度适用于能源材料、功能性复合材料、电池、半导体等领域。
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公开(公告)号：CN101213321B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680020804.1
申请日：2006-05-11
Applicant: 萨里纳米系统有限公司
Inventor： 森布提拉切莱格·拉维·希尔瓦 , 本·保罗·延森 , 陈冠佑
CPC classification number: C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/46 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了纳米结构体的制造方法和设备。本发明涉及一种形成纳米结构体或纳米材料的方法。所述方法包括在基底(15)上设置热控制阻挡层(17)并形成所述纳米结构体或纳米材料。所述方法，例如，可以用于通过使用含碳气体等离子的等离子增强化学气相沉积来形成碳纳米管。在形成所述碳纳米管的过程中，所述基底(15)的温度可以保持在低于350℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101848762A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880115013.6
申请日：2008-09-19
Applicant: 大阳日酸株式会社
IPC: B01J23/745 , C01B31/02
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/745 , B01J35/002 , B01J37/0215 , B01J37/0219 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/20 , C01B2202/34
Abstract: 本发明提供碳纳米结构物生长用催化剂层的形成方法、用于该形成方法的催化剂层形成用液体和使用由该形成方法形成的催化剂层的碳纳米结构物制造方法，所述碳纳米结构物生长用催化剂层的形成方法能够消除催化剂层形成用液体中水分的影响，使均质的高取向碳纳米结构物在基板的整个面生长，能实现其大量生产化。用于CNT制造的催化剂层的形成是调制使含催化剂金属的金属化合物(催化剂金属盐)分散或溶解于富有与基板的浸润性的溶剂中的催化剂金属盐溶液，在所述基板上将该催化剂金属盐溶液涂布成薄膜状来进行。接着，加热处理薄膜形成催化剂层，将形成有该干燥催化剂层的基板导入后述的碳纳米结构物合成装置中，通过热CVD法使CNT生长。
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公开(公告)号：CN105073635B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480010925.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/15 , B01J23/745
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
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公开(公告)号：CN105565292B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410594881.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/159 , C01B32/162 , B82Y30/00
CPC classification number: C30B29/02 , B05D1/005 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D3/0406 , B05D3/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/45512 , C30B25/186 , C30B29/20 , C30B31/04 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
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公开(公告)号：CN103827027B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201380003212.9
申请日：2013-01-09
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B32/162 , C01B32/158 , B01J23/75
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J21/185 , B01J23/75 , B01J23/882 , B01J35/002 , B01J35/0026 , B01J37/0203 , B01J37/0205 , B01J37/0236 , B01J37/03 , B01J2523/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , Y10T428/2982 , Y10T428/30 , B01J2523/31 , B01J2523/68 , B01J2523/842 , B01J2523/845
Abstract: 本发明公开了碳纳米管（CNTs）及其制备方法，为了解决常规制备CNTs的浸渍法的缺陷，即难以提高CNTs的产率，本发明使用浸渍负载型催化剂，通过同时除去该浸渍负载型催化剂的活性和细粉末，可以以高产率制备碳纳米管，该碳纳米管包括包含催化组分和活性组分的三组分碳纳米管催化剂，并具有粒径分布（Dcnt）为0.5至1.0的马铃薯或球形的形状。
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公开(公告)号：CN104641028B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480002421.6
申请日：2014-05-29
Applicant: LG化学株式会社
IPC: D01F9/12
CPC classification number: D01F11/16 , C01B31/00 , C01B31/0226 , C01B31/0233 , C01B31/024 , C01B32/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B32/164 , C01B2202/08 , D01F9/133
Abstract: 本发明涉及一种用于制备碳纳米管纤维的装置和使用所述装置制备碳纳米管纤维的方法，所述装置包括：竖直反应器，具有反应区域；纺丝溶液进口，用于将所述纺丝溶液注入到所述反应器的反应区域的底部；载气进口，用于将载气注入到所述反应器的反应区域的底部；加热器，用于加热所述反应区域；以及碳纳米管纤维排放部，其设置在所述反应区域的上端，其中，从所述纺丝溶液进口流入所述反应区域的纺丝溶液，在利用通过所述载气进口流入的载气而从反应区域下端上升时被碳化和石墨化，从而形成由连续的碳纳米管组构成的碳纳米管纤维。使用根据本发明的装置制备的碳纳米管纤维具有长的长度和优异的电导率、拉伸强度和弹性，并且能用于多种领域，例如电化学装置，如多功能复合材料，变形/损坏探测器，输电电缆，用于感应生物材料的微电极材料，超级电容器和传动装置。
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