公开(公告)号：CN101026155A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084174.0

申请日：2007-02-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桑岛一 ,  宫崎雅弘 ,  古屋晃 ,  伊东正弘

IPC: H01L27/01

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L27/12

Abstract: 薄膜器件具有：衬底；在该衬底上依次层叠的绝缘层、下部导体层、电介质膜、绝缘层、上部导体层以及保护层；四个端子电极。四个端子电极与上部导体层端面的一部分、以及与该端面连续的上部导体层上表面的一部分接触。保护膜具有4个凹部。这些凹部为从保护膜的外缘中与这些凹部对应的部分以外的部分向内侧凹陷的形状，并使上部导体层上表面的与四个端子电极接触的一部分露出。四个凹部放置四个端子电极的一部分。

公开(公告)号：CN1235193C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03104972.9

申请日：2003-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田诚 ,  宫崎雅弘 ,  前岛和彦

IPC: G11B5/53 ,  G11B5/33

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G11B5/52 ,  G11B5/53

Abstract: 本发明的旋转头(10)具备：筒状的旋转滚筒(12)；和磁头(20a)，对在所述旋转滚筒(12)周围传输的磁带，进行信息记录或信息读取至少一方，磁头(20a)可向旋转滚筒(12)外侧移动地被支持。

公开(公告)号：CN1441405A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03104972.9

申请日：2003-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田诚 ,  宫崎雅弘 ,  前岛和彦

IPC: G11B5/53 ,  G11B5/33

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G11B5/52 ,  G11B5/53

Abstract: 本发明的旋转头(10)具备：筒状的旋转滚筒(12)；和磁头(20a)，对在所述旋转滚筒(12)周围传输的磁带，进行信息记录或信息读取至少一方，磁头(20a)可向旋转滚筒(12)外侧移动地被支持。

公开(公告)号：CN1992108B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200610156256.7

申请日：2006-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桑岛一 ,  宫崎雅弘 ,  古屋晃

IPC: H01G4/33

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01L28/40

Abstract: 薄膜器件具备基板、配置在基板上的由绝缘材料构成的平坦化膜、以及设置在平坦化膜上的电容器。电容器具有下部导体层、配置在下部导体层上的电介质膜、以及配置在电介质膜上的上部导体层。下部导体层具有电极膜、用电镀法在电极膜上形成的第1层、以及用PVD法或CVD法在第1层上形成的第2层。第2层中的金属晶体的粒径小于第1层中的金属晶体的粒径。

公开(公告)号：CN102193022A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110066098.7

申请日：2011-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进 ,  山口仁 ,  宫崎雅弘 ,  志村茂

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/00

CPC classification number: G01R15/205 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093

Abstract: 本发明提供一种对涉及较宽范围的检测对象电流高灵敏度且高精度地进行检测的电流传感器。其具备：GMR元件（11～14），沿着导体相互同向延伸配置，根据流过导体的检测对象电流所产生的感应磁场，各自的电阻值示出变化；补偿电流线（30），通过流过补偿电流，将与感应磁场相反方向的补偿磁场提供给GMR元件（11～14）的每一个。GMR元件（11～14）相互连接而形成桥接电路。补偿电流通过从该桥接电路的中点取出的电位的差分产生。补偿电流线（30）中的带状部分（31～34）与GMR元件（11～14）同向延伸并且在厚度方向上与其分别重合，而且具有分别比GMR元件（11～14）的宽度（W11～W14）小的宽度（W31～34）。

公开(公告)号：CN100495754C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610058368.9

申请日：2006-03-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 远池健一 ,  宫崎雅弘 ,  野口隆男 ,  山崎宽史 ,  海野健 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。

公开(公告)号：CN1992108A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156256.7

申请日：2006-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桑岛一 ,  宫崎雅弘 ,  古屋晃

IPC: H01G4/33

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01L28/40

Abstract: 薄膜器件具备基板、配置在基板上的由绝缘材料构成的平坦化膜、以及设置在平坦化膜上的电容器。电容器具有下部导体层、配置在下部导体层上的电介质膜、以及配置在电介质膜上的上部导体层。下部导体层具有电极膜、用电镀法在电极膜上形成的第1层、以及用PVD法或CVD法在第1层上形成的第2层。第2层中的金属晶体的粒径小于第1层中的金属晶体的粒径。

公开(公告)号：CN1591664A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410073719.4

申请日：2004-09-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎宽史 ,  宫崎雅弘

IPC: G11B21/21 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/6005 ,  G11B5/4853 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4873 ,  G11B5/5552

Abstract: 本发明提供弯体、悬架和磁头万向架装置，其中弯体(1)具有主体(2)，为磁头浮动块(20)通电的导线被布置在主体(2)上。磁头浮动块(20)安装在弯体(1)的前端。两个压电层单元(3)中的每个都包括分层压电元件(6a)、(6b)，其布置使得两个单元(3)将从磁头浮动块(20)延伸到臂状构件(11)基部的线(C)夹于其间。电压可以被单独地加到每一个压电元件(6a)、(6b)上。通过调整加到压电元件(6a)、(6b)中的每一个上的电压，压电层单元(3)的形状被改变，从而自由移动磁头浮动块(20)。