公开(公告)号：CN100495754C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610058368.9

申请日：2006-03-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 远池健一 ,  宫崎雅弘 ,  野口隆男 ,  山崎宽史 ,  海野健 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。

公开(公告)号：CN1163982C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00108912.9

申请日：2000-05-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野義彦 ,  野口隆男 ,  阿部秀典 ,  斎藤久俊

IPC: H01L41/09

CPC classification number: H03H9/176 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/174 ,  Y10T428/3171

Abstract: 一种薄膜压电装置，具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5)，该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。

公开(公告)号：CN1312728C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03155667.1

申请日：2003-09-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口隆男 ,  斋藤久俊 ,  阿部秀典 ,  山下喜就

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L41/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/045 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H01L2224/48091 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电子器件基片结构，包括：基片(2)，被形成于基片(2)上作为面心立方结构的(111)定向膜或作为六方最密结构的(0001)定向膜的金属薄膜(4)，以及具有被形成于金属薄膜(4)上作为纤锌矿晶体结构的(0001)定向的纤锌矿型薄膜(5)，其中：两种薄膜的每个都是多晶膜，其包含在所述平面中的晶体定向的方向不同的至少两种晶粒；当金属薄膜(4)是(111)定向膜时，纤锌矿型薄膜(5)的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴；并且当金属薄膜(4)是(0001)定向膜时，纤锌矿型薄膜(5)的平面中的 轴平行于金属薄膜(4)的平面中的 轴。

公开(公告)号：CN1881639A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610058368.9

申请日：2006-03-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 远池健一 ,  宫崎雅弘 ,  野口隆男 ,  山崎宽史 ,  海野健 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。

公开(公告)号：CN1674435A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510056475.3

申请日：2005-03-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  齐藤久俊 ,  野口隆男

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/583 ,  H03H9/588 ,  H03H9/589

Abstract: 本发明的一个实施方式的压电谐振器，具备连接到第一信号端子上的第一转换器、和连接到第二信号端子上的第二转换器。第一转换器和第二转换器在规定方向上叠层。第一转换器和第二转换器中的至少任何一方具有用一对的电极膜把两侧夹起来的第一压电膜、和由与第一压电膜不同的膜种构成、用一对的电极膜把两侧夹起来的第二压电膜。

公开(公告)号：CN1638271A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003841.9

申请日：2005-01-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐藤久俊 ,  野口隆男 ,  井上宪司

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02094 ,  H03H9/175 ,  H03H9/176

Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括：基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。

公开(公告)号：CN1487563A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03155667.1

申请日：2003-09-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口隆男 ,  斋藤久俊 ,  阿部秀典 ,  山下喜就

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L41/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/045 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H01L2224/48091 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电子器件基片结构，包括：基片2，被形成于基片2上作为面心立方结构的(111)定向膜或作为六方最密结构的(0001)定向膜的金属薄膜4，以及具有被形成于金属薄膜4上作为纤锌矿晶体结构的(0001)定向的纤锌矿型薄膜5，其中：两种薄膜的每个都是多晶膜，其包含在所述平面中的晶体定向的方向不同的至少两种晶粒；当金属薄膜4是(111)定向膜时，纤锌矿型薄膜5的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴；并且当金属薄膜4是(0001)定向膜时，纤锌矿型薄膜5的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴。

公开(公告)号：CN111384229B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201911336734.6

申请日：2019-12-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井健太 ,  七尾胜 ,  佐久间仁志 ,  野口隆男

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/50 ,  H10N30/057

Abstract: 薄膜层叠体具备：由金属构成的金属层和层叠于金属层的表面的薄膜，第一方向被定义为与金属层的表面平行的一个方向，第二方向被定义为与金属层的表面平行，且与第一方向交叉的一个方向，金属层包含多个第一金属粒及多个第二金属粒，第一金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第一方向延伸，第二金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第二方向延伸。

公开(公告)号：CN100539014C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510003842.3

申请日：2005-01-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口隆男 ,  齐藤久俊

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H03H9/175 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094

Abstract: 本发明提供一种能大幅度提高产品形状自由度的电子器件制造用结构体。根据本发明的电子器件制造用结构体，其特征在于，包括基板(11)；和在上述基板(11)上设置的导电膜(12)，其特征在于，上述导电膜对上述基板11)的粘接力小于等于0.1N/cm。根据本发明的电子器件制造用结构体，由于导电膜对基板的粘接力非常弱，所以能够从基板容易剥离导电膜。为此，能够在与成膜时所使用的基板不同的另一基板上形成电子器件，并能够大幅度提高产品形状的自由度。特别地，若位于基板侧的下部导电膜的粘接力为0.04N/cm，则能够从基板非常容易地剥离导电膜。

公开(公告)号：CN100499365C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510003841.9

申请日：2005-01-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 齐藤久俊 ,  野口隆男 ,  井上宪司

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02094 ,  H03H9/175 ,  H03H9/176

Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括：基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。