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公开(公告)号：CN1873764A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610089973.2
申请日：2006-05-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G02F1/13624
Abstract: 一种具备书写板功能的液晶显示装置，能确实防止误动作。采用与驱动用的开关元件大致相同构造的TFT作为受光用元件，特别是，其半导体层由未掺杂的a－Si层和掺杂为n+形的n+形a－Si层构成。各受光用TFT(7amn、7bmn)的栅极电极与自身的源极电极或漏极电极连接。因此，各受光用TFT(7amn、7bmn)不会误成为导通状态。还有，与偏置的设定方式无关，能确实地保持截止状态。因而能确实防止误动作。通过检出由受光用元件(7amn、7bmn)产生的光电流，就能确实且准确地给定光输入位置。
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公开(公告)号：CN1862838A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610077876.1
申请日：2006-05-10
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L29/861 , H01L27/02 , H01L21/329 , H01L21/82 , G06F3/03 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/1214 , H01L27/1259
Abstract: 通过堆叠半导体层形成的垂直二极管，包括：(1)下部电极，其表面在含有N型或者P型导电类型的元素的气体中进行等离子体处理，以及(2)位于下部电极上的非掺杂的半导体层。P型或者N型半导体区域形成在非掺杂的半导体层与下部电极的等离子体处理表面接触的接触表面中。
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公开(公告)号：CN1783458A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127223.5
申请日：2005-11-25
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L21/84 , G02F1/1368 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 提供了一种制造显示设备的方法，其中以岛的方式形成包括信号端区域的a－Si半导体层，并将总的寄生电容最小化，同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模，并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。
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公开(公告)号：CN1244954C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03137291.0
申请日：2003-06-04
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/08 , G03F7/00 , G03F9/00
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造薄膜半导体器件的方法，它能够实现制造过程的简化，并在不使用多个对准标记的情况下，能够提高对准精度。通过使用具有多个区域的抗蚀剂层，形成对准构图，每个所述多个区域具有对应于多个图形中每个图形的不同的膜厚度，其中使用具有半色曝光区域作为掩模的半色掩模，并通过将光透射区域形成为孔构图，以及通过蚀刻位于下面的硅层而产生所述图形。通过使位于下面的硅层曝光，并将离子注入到整个抗蚀剂层，使只有主构图区域被掺杂了离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568515C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610146434.8
申请日：2006-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14609 , H01L27/14692
Abstract: 提供一种能够减少元件数量、提高光接收精确度以及增加接收光量的动态范围的光接收电路。该光接收电路包括：由形成在绝缘衬底上的薄膜构成的光电二极管；传输由光电二极管根据输入光产生的电荷的传输TFT(薄膜晶体管)；积累传输电荷的电荷积累电容器；以及将在电荷积累电容器中积累的电荷传输到电荷读出信号线的读出TFT。
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公开(公告)号：CN100455260C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610142892.4
申请日：2006-10-27
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: G06K9/0004 , G06K2009/00932
Abstract: 本发明涉及一种生物传感器。该光学生物传感器具有较高光接收效率的、能够读取指纹或静脉纹。在该传感器中，在背光单元和基板之间配置百叶窗，用于通过下面的过程来识别指纹，其中，从背光单元发射的光穿过基板并照射到与保护层的上表面相接触的指纹上，并且，根据指纹的表面不规则性反射的光被作为光接收元件的半导体层所接收。由此发射的光被设置成具有清晰明确的方向性，因此增加了通过传感器的光接收效率。
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公开(公告)号：CN1983376A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610163003.2
申请日：2006-11-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: G09G3/3618 , G09G2310/0251 , G09G2310/0275 , G09G2320/0252 , G09G2360/18
Abstract: 提供一种用于LCD(液晶显示)面板的驱动电路，该驱动电路可对所有灰度执行过驱动操作，并且可免除根据试验结果等等来预先确定驱动图案的必要性。该用于LCD面板的驱动电路包括：运算放大器，其非反相输入端施加了对用于当前灰阶显示的LCD的像素进行充电的电压，其反相输入端施加了对在之前一个场出现的相应像素进行充电的电压；NAND电路，用于对运算放大器的输出状态进行检测；P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，用于将操作状态从运算放大器作为比较器进行操作以利用源电压执行过驱动操作的一个状态转换为利用灰度级电压对像素进行充电的一个状态。
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公开(公告)号：CN1818744A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006458.3
申请日：2006-01-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1292
Abstract: 一种用于印刷印刷图案的方法，包括下面的步骤：印刷图案形成工艺，在基板上形成的蚀刻膜上形成诸如由抗蚀成分制成的抗蚀剂的印刷图案；以及此后的减薄工艺，在通过使用印刷图案作为掩模进行蚀刻之前，通过诸如等离子体灰化的干蚀刻，或诸如显影处理的湿蚀刻，在厚度方向上减薄抗蚀剂；以及蚀刻工艺，通过使用减薄的印刷图案作为掩模来蚀刻蚀刻膜。
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公开(公告)号：CN1472778A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03178445.3
申请日：2003-07-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 高桥美朝
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , C30B1/00 , C30B29/06 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/12 , H01L27/1285
Abstract: 在通过使用激光束将半导体膜的非单晶材料转化为单晶材料之前，将至少一种掺杂剂引入到整个半导体膜中。然后，使用激光束照射非单晶的半导体材料，以便结晶半导体膜，在这种情况下，在用来形成不同导电型的晶体管的晶体管形成区域的其中之一内的单晶材料的准费米能级和在另一形成区域内单晶材料的准费米能级之间的比值在0.5∶1和2.0∶1之间。因此，在结晶的半导体膜上形成不同导电型的晶体管。
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