公开(公告)号：CN1811604A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510048833.6

申请日：2002-01-08

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/26

Abstract: 提供一种用于从较低层除去有机化合物层的方法，此方法包括步骤：将所述有机化合物层加热到预定的温度范围；将所述有机化合物层保持在高温环境中，以通过回流减薄所述有机化合物层的厚度；以及从所述较低层剥离所述有机化合物层。

公开(公告)号：CN1770395A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510054808.9

申请日：2005-03-18

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 本发明提供可以抑制对有机膜图案或衬底的破坏的衬底处理方法，本发明的衬底处理方法包括对衬底上形成的有机膜图案进行加工的有机膜图案加工处理。在有机膜图案加工处理中，依次进行：对衬底进行加热的加热处理(步骤S00)；除去有机膜图案表面上形成的变质层或者沉积层的除去处理；将有机膜图案熔融变形的熔融变形处理(步骤S3)。其中除去处理的至少一部分通过对有机膜图案的药液处理(步骤S1)来进行。

公开(公告)号：CN1255700C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02132130.2

申请日：2002-08-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 前田明寿 ,  安田亨宁 ,  田中宏明 ,  城户秀作

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供了一种用于制造反射型液晶显示器的方法，它能够减少反射型液晶显示器中所使用的薄膜晶体管的制造工序的数目。在这种液晶显示器中，待与薄膜晶体管的源极连接的反射电极以及待与终端部分下层金属膜连接的终端部分连接电极被同时形成在含有多个凸起和凹入部分的有机绝缘膜上。作为反射电极和终端部分下层金属膜的材料，本发明采用了含有0.9%原子或更多Nd的Al-Nd(铝-钕)合金，它具有优良的抗腐蚀特性。

公开(公告)号：CN1194390C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02142141.2

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1555084A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410071263.8

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN101350291A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810087092.6

申请日：2004-09-17

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

Abstract: 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。

公开(公告)号：CN100383913C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510054813.X

申请日：2005-03-18

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 本发明提供可以使通过第2次显影处理可以将有机膜图案加工成新的图案形状的处理顺利进行的衬底处理方法。依次进行：用于将衬底加热的加热处理、用于将有机膜图案表面上形成的破坏层除去的前处理、用于将有机膜图案的至少一部分缩小或者将所述有机膜图案的一部分除去的显影处理(第2次)。通过在由前处理除去破坏层后进行显影处理，可以顺利地、均一性良好地进行第2次的显影处理。因此，可以均一性良好地进行在显影处理后进行的底膜的图案加工。

公开(公告)号：CN100342488C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410071262.3

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1881090A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610095835.5

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1881089A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610095834.0

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。