公开(公告)号：CN104562009A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410543417.2

申请日：2014-10-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN100510187C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510114837.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金钟一 ,  李坰默 ,  宋桂燦 ,  曹三永 ,  申贤哲 ,  金南绪 ,  李骐范

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55%到大约80%的磷酸；重量比为大约3%到大约15%的硝酸；重量比为大约5%到大约20%的乙酸；重量比为大约0.5%到大约10%的磷酸盐；重量比为大约0.1%到大约5%的含氯化合物；重量比为大约0.01%到大约4%的偶氮化合物；以及水。