一种时变光源-掩模版协同优化方法及相关设备

    公开(公告)号:CN115826368A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202310123013.7

    申请日:2023-02-16

    Abstract: 本发明公开了一种时变光源‑掩模版协同优化方法及相关设备,所述方法包括:获取散焦和光刻胶的阈值,对散焦和阈值进行预计算得到初始参量;进行时变光源优化和掩模版优化得到联合方案,并将联合方案反馈给第一训练库;根据联合方案对隐图像进行计算光刻模拟得到模拟结果,并对联合方案进行曝光得到量测结果,并将模拟结果与量测结果进行对比得到对比结果;将对比结果输入第二训练库,根据智能核心算法对第一训练库和第二训练库进行学习得到优化后的多次曝光方案,并基于多次曝光方案得到超分辨光刻图案。本发明通过稀疏采样降低量测所需的精度,并在多次曝光后形成具有高质量临界尺寸的锐化边缘,实现超分辨光,且降低测试成本。

    光源调控方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117406564A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311697407.X

    申请日:2023-12-12

    Abstract: 本发明涉及光源调控技术领域,公开了一种光源调控方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:将泵浦光源发射的高强度激光输入至高次谐波产生腔,获得目标极紫外光;基于目标极紫外光对泵浦光源对应的光源模场进行空间分布调控,获得泵浦光源对应的光源模场数据;基于光源模场数据建立光源基本数据库;基于光源基本数据库进行光源掩模联合优化,以根据掩模版优化参数进行极紫外光调控。本发明基于对泵浦光源对应的光源模场进行调控获得的光源模场数据建立光源基本数据库,并基于光源基本数据库进行光源掩模联合优化,以根据掩模版优化参数进行极紫外光调控,解决了EUV光刻中的EUV光源难调控,进而导致光刻分辨率较低的技术问题。

    接近式光刻系统、光源控制优化方法、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116974158B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311235788.X

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本申请公开了一种接近式光刻系统、光源控制优化方法、设备及存储介质,应用于人工智能技术领域,接近式光刻系统包括:光源、控制装置、图像输出部件和图像转移部件;所述光源中包括至少一个发光单元,所述控制装置用于根据照明参数控制各所述发光单元。本申请解决了光刻图像的图像质量较差的技术问题。

    接近式光刻系统、光源控制优化方法、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116974158A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202311235788.X

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本申请公开了一种接近式光刻系统、光源控制优化方法、设备及存储介质,应用于人工智能技术领域,接近式光刻系统包括:光源、控制装置、图像输出部件和图像转移部件;所述光源中包括至少一个发光单元,所述控制装置用于根据照明参数控制各所述发光单元。本申请解决了光刻图像的图像质量较差的技术问题。

    一种时变光源-掩模版协同优化方法及相关设备

    公开(公告)号:CN115826368B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310123013.7

    申请日:2023-02-16

    Abstract: 本发明公开了一种时变光源‑掩模版协同优化方法及相关设备,所述方法包括:获取散焦和光刻胶的阈值,对散焦和阈值进行预计算得到初始参量;进行时变光源优化和掩模版优化得到联合方案,并将联合方案反馈给第一训练库;根据联合方案对隐图像进行计算光刻模拟得到模拟结果,并对联合方案进行曝光得到量测结果,并将模拟结果与量测结果进行对比得到对比结果;将对比结果输入第二训练库,根据智能核心算法对第一训练库和第二训练库进行学习得到优化后的多次曝光方案,并基于多次曝光方案得到超分辨光刻图案。本发明通过稀疏采样降低量测所需的精度,并在多次曝光后形成具有高质量临界尺寸的锐化边缘,实现超分辨光,且降低测试成本。

    相位干涉显微成像系统
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117804329B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410232057.8

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 本发明涉及成像技术领域,提出一种相位干涉显微成像系统,相位干涉显微成像系统包括信号接收部、样品置放部、光源部以及传输调理部;传输调理部包括非对称分光器,用于接收光源部出射的光束,并使光束分别调制为朝向信号接收部传输的空间相干的参考光和朝向样品置放部传输的空间去相干的物面照明光;物面照明光传输至样品置放部后,经样品表面反射形成物光,物光朝向信号接收部传输,并与参考光共轴设置,以使物光和参考光发生相互干涉,继而被信号接收部所接收,以得到干涉图像。本申请的技术方案,能够实现物面照明光的空间去相干,从而有利于提高相位干涉显微成像系统的稳健性。

    相位干涉显微成像系统
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117804329A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410232057.8

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 本发明涉及成像技术领域,提出一种相位干涉显微成像系统,相位干涉显微成像系统包括信号接收部、样品置放部、光源部以及传输调理部;传输调理部包括非对称分光器,用于接收光源部出射的光束,并使光束分别调制为朝向信号接收部传输的空间相干的参考光和朝向样品置放部传输的空间去相干的物面照明光;物面照明光传输至样品置放部后,经样品表面反射形成物光,物光朝向信号接收部传输,并与参考光共轴设置,以使物光和参考光发生相互干涉,继而被信号接收部所接收,以得到干涉图像。本申请的技术方案,能够实现物面照明光的空间去相干,从而有利于提高相位干涉显微成像系统的稳健性。

    高速并行写入读取系统及方法

    公开(公告)号:CN116500306B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310772032.2

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种高速并行写入读取系统及方法,系统包括:片上集成光子芯片系统;片上集成光子芯片系统包括:光源、多个阵列化单元以及探测器,各阵列化单元独立控制,多个阵列化单元划分为近场作用像素区和距离校准像素区;近场作用像素区内的阵列化单元根据写入需求和/或读取需求将控制信号调制至光载波或调制光信号上,从而对待测样品各空间点写入,和/或,读取待测样品各空间点返回的光信号;距离校准像素区内的阵列化单元探测写入和读取过程中与待测样品的垂直距离;由于本发明中通过高速并行超分辨成像与曝光技术,同时对待测样品进行写入和读取,从而能够提高扫描速度,并加入实时垂直测距反馈功能,从而能够调控扫描时的最佳垂直距离。

    高速并行写入读取系统及方法

    公开(公告)号:CN116500306A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310772032.2

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种高速并行写入读取系统及方法,系统包括:片上集成光子芯片系统;片上集成光子芯片系统包括:光源、多个阵列化单元以及探测器,各阵列化单元独立控制,多个阵列化单元划分为近场作用像素区和距离校准像素区;近场作用像素区内的阵列化单元根据写入需求和/或读取需求将控制信号调制至光载波或调制光信号上,从而对待测样品各空间点写入,和/或,读取待测样品各空间点返回的光信号;距离校准像素区内的阵列化单元探测写入和读取过程中与待测样品的垂直距离;由于本发明中通过高速并行超分辨成像与曝光技术,同时对待测样品进行写入和读取,从而能够提高扫描速度,并加入实时垂直测距反馈功能,从而能够调控扫描时的最佳垂直距离。

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