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公开(公告)号：CN113275021B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110632744.5
申请日：2021-06-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用，属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法，通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题，有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例)，将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上，并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去，同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比，找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例，相互协同作用促进光生电子‑空穴分离，提升光催化效率，本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低，适于工业应用。
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公开(公告)号：CN114471628A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210230614.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B01J27/08 , C02F1/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿光催化剂及其制备方法和应用，属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种钙钛矿光催化剂(Cs2AgBiI6或Cs2AgBiI6‑GO)。Cs2AgBiI6在可见光照射下，其内部的电子从价带激发到导带，从而产生光生电子和空穴，电子被O2快速捕获，产生·O2‑自由基，然后·O2‑自由基与活性染料反应生成矿化产物，从而达到降解染料的目的；另外，氧化石墨烯(GO)具有特殊的物理和化学性质，能防止光催化剂团聚和提供快速的电荷转移通道，本发明的光催化剂对解决水资源中过多排放的有毒有害有机物所造成的环境问题具有良好实际应用前景，且该光催化剂合成方法简单，易操作，对设备要求不高，具有低成本和低能耗的优点。
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公开(公告)号：CN113948639A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111210555.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN113736118A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111121108.2
申请日：2021-09-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C08J5/18 , C08L83/04 , C08K3/16 , C08K3/36 , C08K7/26 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种稳定、发光具有柔性特性的钙钛矿量子点薄膜的制备方法及其产品，属于柔性发光材料领域。钙钛矿量子点薄膜由钙钛矿量子点CsPbBr3@SiO2与PDMS制备而成。该薄膜的制备原理是CsPbBr3@SiO2量子点镶嵌在PDMS中，使得该薄膜具备CsPbBr3量子点发光性能，也具有PDMS的柔性特点。另外，SiO2和PDMS对CsPbBr3量子点的双重保护，也使得CsPbBr3@SiO2@PDMS薄膜对环境非常友好。该薄膜合成方法简单，易操作，对设备要求不高，低成本，低能耗，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN113275021A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110632744.5
申请日：2021-06-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用，属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法，通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题，有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例)，将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上，并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去，同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比，找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例，相互协同作用促进光生电子‑空穴分离，提升光催化效率，本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低，适于工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119875277A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411912492.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种Cs3Bi2I9纳米晶聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备方法与应用，属于新材料领域。为解决现有复合材料制备工艺复杂、性能不佳的问题，本发明通过特定比例混合碘化铯、碘化铋、二甲基甲酰胺、油酸和油胺制备前驱液，再经异丙醇处理得到Cs3Bi2I9纳米晶，将纳米晶与聚甲基丙烯酸甲酯粉末及有机溶剂混合，制得复合材料。该复合材料可用于制备人工伤害感受器的阻变层，阻变层厚度为50～300nm，底电极采用透明导电玻璃材料，顶电极选用银、铝或金。本发明制备方法简单高效，所得复合材料性能稳定，应用于人工伤害感受器时，能实现高效、灵敏的伤害感知功能，具有广阔的应用前景和显著的有益效果。
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公开(公告)号：CN116536765A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310013509.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种新型有机无机杂化掺杂的锆基钙钛矿单晶制备方法及其产品和应用，属于锆基钙钛矿单晶制备技术领域。本发明公开了一种新型有机无机杂化掺杂的锆基钙钛矿单晶制备方法，主要是以四乙基氯化铵(TEACl)、四氯化锆(ZrCl4)粉末和三氧化二锑(Sb2O3)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为原料制备(TEA)2ZrCl6:Sb单晶，或者以四乙基氯化铵(TEACl)、四氯化锆(ZrCl4)粉末、三氧化二锑(Sb2O3)和三氧化二铋(Bi2O3)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为原料制备(TEA)2ZrCl6:Sb/Bi单晶，制备方法具有安全方便的特点，制备得到的锆基钙钛矿单晶((TEA)2ZrCl6:Sb单晶或(TEA)2ZrCl6:Sb/Bi单晶)具有多色发光的特点，在制备防伪材料方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116506931A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310536259.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04W52/24
Abstract: 本发明涉及一种基于全双工协作PNOMA系统功率分配和用户配对方法，属于无线通信领域。该方法为：对于每一个CNOMA对，以速率最大化为目标进行功率分配的算法研究；利用KM算法，同样以速率最大化为目标对多用户进行配对；根据系统模型，获得用户接收信干噪比SINR；利用数学推理，推导出系统中各用户中断概率表达式以及平均可达速率近似表达式。由于PNOMA系统和CNOMA系统能够弥补传统NOMA系统和速率过低以及用户公平性较差的缺陷，形成的CPNOMA系统可以在提高系统和速率的同时适当提高边缘用户速率，即提升用户公平性。
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公开(公告)号：CN113078625B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110314789.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02H9/04 , H02H7/20 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
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