公开(公告)号：CN114871954B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210394970.9

申请日：2022-04-15

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 闫贺亮 ,  邵俊永 ,  王战 ,  杨森 ,  陈月涛 ,  董峰 ,  刘建双 ,  栗云慧 ,  窦文海 ,  乔帅 ,  付林泊 ,  杨双 ,  高鹏

IPC: B24D5/12 ,  B24D18/00 ,  C25D15/00 ,  C25D3/12 ,  C25D7/00 ,  C25D5/48 ,  C25F3/20 ,  C23F1/36

Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380 440~μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。