公开(公告)号：CN101404182B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200810176914.8

申请日：2008-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文承炫 ,  崔正达 ,  崔奇焕 ,  沈载星

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3404

Abstract: 具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程或擦除方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每个单元编程或擦除循环包括将作为正电压或负电压的编程脉冲、擦除脉冲、时间延迟、软擦除脉冲、软编程脉冲和/或校验脉冲施加于非易失性存储器件的一部分(例如，字线或基底)。

公开(公告)号：CN101465353A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185638.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛钟善 ,  申有哲 ,  沈载星

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/3468 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。