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公开(公告)号：CN101414483B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200810179960.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。
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公开(公告)号：CN101447230B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810188771.2
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2216/14 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
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公开(公告)号：CN101404182B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200810176914.8
申请日：2008-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程或擦除方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每个单元编程或擦除循环包括将作为正电压或负电压的编程脉冲、擦除脉冲、时间延迟、软擦除脉冲、软编程脉冲和/或校验脉冲施加于非易失性存储器件的一部分(例如，字线或基底)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414483A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810179960.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。
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公开(公告)号：CN101447230A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810188771.2
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2216/14 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
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公开(公告)号：CN101404182A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810176914.8
申请日：2008-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 具有电荷存储层的非易失性存储设备的编程或擦除方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每个单元编程或擦除循环包括将作为正电压或负电压的编程脉冲、擦除脉冲、时间延迟、软擦除脉冲、软编程脉冲和/或校验脉冲施加于非易失性存储设备的一部分(例如，字线或基片)。
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