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公开(公告)号：CN119080846A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411181399.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/02 , C23C16/455 , C23C16/44 , G11C11/02
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机信息存储材料用前驱体β‑酮亚胺基乙二醇二甲醚Fe(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的β‑酮亚胺基乙二醇二甲醚Fe(II)化合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Fe基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，降低了前驱体材料的合成成本。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112379262A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011001789.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种变桨系统超级电容运行数据检验方法，步骤为：投针法检验：根据要检测的数据的最大值，判断并计算数据分段因子，并以检测数据作为被除数，分段因子作为除数，计算商及余数，判断是否与分段因子线相交，最后对最大分段因子和最小分段因子对应的数值进行统计，就可以得出数据的主要分布区间，再根据投针法公式，计算概率值；并统计分布区间内的数据个数；根据投针法的分析结果，统计数据的分布区间及每个区间内的数据个数，计算方差值与参考方差值，并进行比较。本发明可以有效检测数据的波动情况，并检测出短时间的跳变；且所检测的数据分布区间范围更准确、更细化，且不需要对检测阈值进行修改或调整。
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公开(公告)号：CN107429404A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580000402.4
申请日：2015-07-02
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C22/34
Abstract: 一种用于铝合金表面处理的钛锆系有色无铬钝化液，包括以下质量体积浓度的组分：主成膜剂0.01～80g/L，氧化剂0.01～80g/L，成膜促进剂0.01～50g/L，无机成膜助剂0.01～50g/L，有机成膜保护剂0.01～50g/L，将溶液的pH值调节至2-6的量的pH调节剂，以及作为溶剂的水。一种处理铝合金表面的方法包括以下步骤：首先将有色无铬钝化液稀释1到80倍；然后将经过脱脂预处理的铝合金浸渍在该钝化液中或将该钝化液喷淋在铝合金的表面上，工作温度为0℃-40℃；待反应为10-500s，然后将铝合金工件取出水洗并烘干。还公开了一种钛锆系有色无铬钝化液应用。
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公开(公告)号：CN106442687A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610836570.3
申请日：2016-09-21
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: G01N27/48 , G01N27/308
Abstract: 本发明公开了一种修饰电极及其制备方法和在色素检测方面的应用。制备方法如下：1)导电碳黑预处理；2)取适量预处理的导电碳黑和高锰酸钾加入到水和异丙醇的混合溶液中，进行超声分散；3)转入到水热反应釜中，然后将水热反应釜压紧后置入160～180℃高温烘箱中，水热反应3～5h；4)产物取出后用去离子水洗涤并进行离心分离，经真空干燥，得到黑色的导电碳黑担载纳米二氧化锰粉末；5)取所得粉末加入到异丙醇中，并加入适量粘结剂，然后进行超声分散，得到料浆；6)将料浆滴涂于玻碳电极表面，溶剂挥发后，即得修饰电极。本发明所制备的修饰电极，成本较为廉价，可实现饮料中日落黄和柠檬黄色素的检测，灵敏度高、线性范围较宽，重现性好。
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公开(公告)号：CN104034772A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410270750.0
申请日：2014-06-18
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种修饰电极的制备方法及其应用，本发明制备了聚对氨基苯磺酸修饰石墨电极，通过循环伏安法研究了邻、间、对硝基苯酚在该电极上的电化学行为，并将循环伏安曲线进行半微分处理，进一步提高其灵敏度和分离度。结果表明：在pH8.00的磷酸盐缓冲溶液中，该修饰电极对三种异构体的电化学氧化具有明显的区分作用和显著提高电流灵敏度的作用。与在裸石墨电极上相比，邻硝基苯酚和对硝基苯酚，对硝基苯酚和间硝基苯酚相邻的两个氧化峰峰电位差由在石墨电极上的80mV、133mV分别增加到90mV和155mV；同时测定灵敏度亦有显著提高，各组分的峰电流与其浓度有较好的线性响应，电极的重现性和稳定性良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113248650B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110696128.6
申请日：2021-06-18
Applicant: 许昌学院
IPC: C08F220/20 , C08F220/60 , C08F220/56 , C08F220/04 , C08F220/06 , C08F2/44 , C08K3/32 , C08J9/26 , B01J20/26 , B01J20/30 , B01D15/08 , C07C51/47 , C07C57/03
Abstract: 本发明公开了一种以羟基磷灰石为载体的低共熔溶剂型分子印迹聚合物及其制备方法和应用。以羟基磷灰石作为载体，两种不同低共熔溶剂分别作为功能单体和交联剂，并引入模板分子通过聚合反应、洗脱模板分子，即得分子印迹聚合物。该分子印迹聚合物以羟基磷灰石作为载体骨架，而印迹层均匀地分布在载体表面，不但解决了传统分子印迹聚合的印迹位点易被包埋的问题，同时有利于目标分子更容易到达印迹位点，因此吸附更快、吸附量更大，且该分子印迹聚合物易于根据目标分子来进行设计，可以广泛应用于复杂体系中目标分子的选择性识别和分离提取，且分子印迹聚合物的制备采用原料成本低、操作简单、对环境友好，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114560886A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。
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公开(公告)号：CN113248650A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110696128.6
申请日：2021-06-18
Applicant: 许昌学院
IPC: C08F220/20 , C08F220/60 , C08F220/56 , C08F220/04 , C08F220/06 , C08F2/44 , C08K3/32 , C08J9/26 , B01J20/26 , B01J20/30 , B01D15/08 , C07C51/47 , C07C57/03
Abstract: 本发明公开了一种以羟基磷灰石为载体的低共熔溶剂型分子印迹聚合物及其制备方法和应用。以羟基磷灰石作为载体，两种不同低共熔溶剂分别作为功能单体和交联剂，并引入模板分子通过聚合反应、洗脱模板分子，即得分子印迹聚合物。该分子印迹聚合物以羟基磷灰石作为载体骨架，而印迹层均匀地分布在载体表面，不但解决了传统分子印迹聚合的印迹位点易被包埋的问题，同时有利于目标分子更容易到达印迹位点，因此吸附更快、吸附量更大，且该分子印迹聚合物易于根据目标分子来进行设计，可以广泛应用于复杂体系中目标分子的选择性识别和分离提取，且分子印迹聚合物的制备采用原料成本低、操作简单、对环境友好，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114560886B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117568786A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311491216.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/18 , C25B1/13 , C25B11/093
Abstract: 本发明提供了通过原子层沉积技术制备Pt掺杂SnO2钛阳极的方法，包括以下步骤：1)将钛衬底置于反应腔中，通入气相锡源进行沉积；2)惰性气体吹扫；3)通入氧源，与钛基底上的Sn源反应，得到纳米SnO2薄膜；4)惰性气体吹扫；5)通入铂源，与衬底上的SnO2进行沉积，得到沉积有Pt源的SnO2；6)通入氧源，与Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；7)以脉冲形式向反应腔通入氧源，与吸附在SnO2上的Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；8)惰性气体吹扫，完成一个ALD生长循环；重复操作即可得到生长有不同厚度的Pt掺杂SnO2沉积层的钛阳极，本发明可以制备出连续均匀、表面无裂纹的Pt掺杂SnO2钛阳极。
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