公开(公告)号：CN117568786A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311491216.8

申请日：2023-11-09

Applicant: 许昌学院

Inventor： 姚川 ,  孙红 ,  张羽翔 ,  董颂扬 ,  马世骙 ,  韩栋林 ,  李旭亮

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/18 ,  C25B1/13 ,  C25B11/093

Abstract: 本发明提供了通过原子层沉积技术制备Pt掺杂SnO2钛阳极的方法，包括以下步骤：1)将钛衬底置于反应腔中，通入气相锡源进行沉积；2)惰性气体吹扫；3)通入氧源，与钛基底上的Sn源反应，得到纳米SnO2薄膜；4)惰性气体吹扫；5)通入铂源，与衬底上的SnO2进行沉积，得到沉积有Pt源的SnO2；6)通入氧源，与Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；7)以脉冲形式向反应腔通入氧源，与吸附在SnO2上的Pt源进行单原子反应，得到Pt掺杂SnO2薄膜；8)惰性气体吹扫，完成一个ALD生长循环；重复操作即可得到生长有不同厚度的Pt掺杂SnO2沉积层的钛阳极，本发明可以制备出连续均匀、表面无裂纹的Pt掺杂SnO2钛阳极。