公开(公告)号：CN119008625A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411079662.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  胡雨清 ,  袁梦强 ,  樊昱彤 ,  冯欣 ,  吴银河 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/07 ,  H01L27/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，包括：衬底和缓冲层，缓冲层包括隔离槽，缓冲层被隔离槽划分为第一区域和第二区域；在第一区域，缓冲层上设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，有源层中设置有漂移区、引出区和源区，漂移区中设置有漏区，引出区和源区的上表面设置有第一源极，漏区的上表面设置有第一漏极，二者之间设置第一栅极；在第二区域，缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，二者之间设置有第二栅极；第一漏极与第二源极通过第一金属互联线电连接，第一源极与第二栅极通过第二金属互联线电连接。本发明能够改善器件性能。

公开(公告)号：CN114725094B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202210096697.1

申请日：2022-01-26

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 张苇杭 ,  刘茜 ,  张进成 ,  黄韧 ,  樊昱彤 ,  赵胜雷 ,  刘志宏 ,  郝跃 ,  张晓东

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明公开了一种Si‑GaN单片异质集成反相器，包括：衬底、衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层之间具有隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有Si有源层；Si有源层上覆盖有栅介质层，栅介质层上设有第一栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明还提供一种Si‑GaN单片异质集成反相器制备方法，本发明的反相器可实现低静态功耗、高开关频率等特性。