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公开(公告)号：CN114725093A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210095232.4
申请日：2022-01-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种Si CMOS逻辑器件与GaN电力电子器件单片异质集成电路及其制备方法，包括：衬底、GaN缓冲层、第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有p‑Si层；p‑Si层上覆盖有栅介质层；栅介质层上设有第一栅电极、第二栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二栅电极的两侧分别设有第二源电极和第二漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第三源电极和第三漏电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明的器件具有优异的高频高效率等性能。
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公开(公告)号：CN113921596A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110970797.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
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公开(公告)号：CN119968111A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510110999.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米孔的阵列化忆阻器射频开关器件及制备方法，主要解决现有开关响应时间过长和忆阻器在阵列化时同一批次器件响应时间差异过大的问题。方案包括：高电阻硅衬底、金属粘附层、底部电极、阻变层材料和顶部电极；其中底部电极与顶部电极之间由阻变层材料隔开；顶部电极为包括下台阶和上台阶的台阶型，且上台阶、阻变层材料和底部电极自上而下分布构成忆阻器；晶圆级阻变层材料通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，湿法转移到底部电极上后经过阵列化He+离子注入工艺处理。本发明可大规模制备忆阻器射频器件，能降低器件开关响应时间、减小阵列化忆阻器射频开关器件之间的差异性，可用于射频前端系统。
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公开(公告)号：CN119789509A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411650425.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10D84/82 , H10D84/05 , H10D62/824
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法，所述结构自下而上包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、键合介质层、砷化镓器件外延层、氮化镓器件电极源极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极漏极、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极、氮化镓背通孔、砷化镓背通孔、正面通孔、氮化镓外表面电极源极、氮化镓外表面电极漏极，砷化镓器件外延层上表面的电极根据需要进行互联，形成一定功能的集成电路。本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件的电极具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。
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公开(公告)号：CN119698234A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411639216.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构射频开关器件，主要解决现有射频开关器件开关响应时间过长和器件散热过慢的问题。其包括:顶部电极(6)、阻变层材料(5)、底部电极(4)、金属粘附层(3)和高电阻硅衬底(2)，该顶部电极(6)、阻变层材料(5)及底部电极(4)自上而下分布构成忆阻器。该高电阻硅衬底底面设有金刚石衬底(1)，以提高器件的散热性能，并实现对器件的支撑；该阻变层材料(5)通过CVD在Cu/蓝宝石基底上生长，并经过He+离子注入工艺处理后转移到底部电极(4)上。本发明能降低器件开关响应时间，提升器件的散热能力，可用于微波通讯系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630006A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411811737.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种沟槽p型氧化镓结型势垒肖特基二极管及其制备方法，主要解决现有氧化镓肖特基二极管导通电阻和反向漏电流较高、耐压能力和抗浪涌能力较差的问题。其自下而上包括阴极欧姆金属层(1)、n型重掺杂氧化镓衬底(2)、n型轻掺杂氧化镓漂移层(3)和阳极肖特基金属层(4)，其中n型轻掺杂氧化镓漂移层上表面向下设有多个沟槽(5)，以改变器件表面电场；每个沟槽的下方注有p型氧化镓区域(6)，其与n型轻掺杂氧化镓漂移层形成氧化镓同质pn结；每个沟槽内沉积有高k介质层(7)。本发明降低了漏电流，提高了器件的反向击穿电压，减小了导通电阻，提升了抗浪涌能力，可用于功率电子设备。
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公开(公告)号：CN119521709A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411631971.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于P型AlGaN背势垒结构的高耐压AlGaN HEMT器件及制备方法，包括：从下到上依次层叠的衬底、AlN成核层、第一AlGaN缓冲层、P型AlGaN背势垒层、第二AlGaN缓冲层、AlGaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；第一AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN背势垒层中Al组分的大小；第二AlGaN缓冲层中Al组分呈阶梯式逐渐递减且最小递减至AlGaN沟道层中Al组分的大小；源极和漏极位于器件两端，分别贯穿GaN帽层直至AlGaN势垒层内；栅极位于GaN帽层上。本发明是一种AlGaN基HEMT，具备更高击穿特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119110664A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410996353.5
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热电制冷增强散热的GaN器件，主要解决现有GaN器件在高功率下由自热和热积累效应引起输出功率密度指标急剧恶化的问题。其自下而上包括热沉层、传热界面层、衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极，该传热界面层与衬底间设有多个依次排列的热电制冷模块，每个热电制冷模块包括一个相互对应的N型热电材料层和一个P型热电材料层，且其上下表面分别设有串联图形化的上金属电极层和下金属电极层，其外围包裹有绝缘支撑材料；该衬底的下表面设有衬底绝缘层，以实现对衬底与热电制冷模块的电气隔离。本发明能降低器件热阻，增强从器件衬底到热沉的热传导，提升器件的散热能力，可用于GaN微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN118946238A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410996356.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10N19/00 , H10N10/01 , H10N10/817 , H01L21/77 , C23C28/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/20 , C30B29/16 , C30B29/22
Abstract: 本发明公开了一种集成有热电材料的强散热氧化镓器件，旨解决现有氧化镓器件自热效应严重、可靠性降低、输出功率减小的问题。其技术关键是通过热电效应提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的衬底和传热界面层之间增设依次串联的热电制冷模块，其外围包裹有绝缘支撑材料，其上下表面设置图形化金属电极层，以实现模块之间的隔离，并通过向热电材料上施加电压形成电流，使得衬底一侧的温度显著下降，加快衬底到传热界面层的热传递。对于垂直氧化镓二极管，是在其阴极电极与热界面层之间增设该热电制冷单元，通过施加电压使其产生热电效应，增加阴极电极到热界面层的热传递。本发明能缓解器件自热效应，提高器件的可靠性，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN113921596B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110970797.8
申请日：2021-08-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。
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