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公开(公告)号：CN114943660A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210689900.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器直方图统计的测试方法、系统、设备和可读存储介质，包括以下步骤，步骤1，采集CMOS图像传感器输出的图像；步骤2，对步骤1采集到的图像进行图像文件直方图统计，获取直方图数据；步骤3，接收标准直方图，进行图像目标的标准直方图计算，获取标准直方图数据；步骤4，比对步骤2的直方图数据和步骤3的标准直方图数据，获取直方图测试结果；步骤5，依据步骤4的直方图测试结果，对图像进行均衡处理，增强原始图像整体的对比度。能够对CMOS图像传感器的图像，进行直方图统计和比对，通过面向对象的呈现方式，直观的进行观测，对原始灰度的直方图进行均衡化处理，从而达到增强图像整体对比度的效果。
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公开(公告)号：CN111693848B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010530655.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了SiP模块的电参数测试程序注入及多模测试实现方法，属于SiP模块测试领域。本发明的SiP模块的电参数测试程序注入及多模测试实现方法，在不增加测试步骤的情况下，通过修改SiP模块内存储器中的引导程序，在进行功能测试时依托引导固化于SiP模块测试板上FPGA存储资源上的测试程序实现，在进行电参数测试时依托大规模集成电路测试系统注入的测试向量实现；在保证测试效果的同时，也解决了频繁更改SiP模块测试程序的问题。
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公开(公告)号：CN113946361A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111267123.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种芯片FPGA静态全局升级重构方法、系统、设备及其介质，通过芯片PS端的串口，在不打开产品外壳和使用仿真器的情况下，能够完成芯片上PL段bit文件，PS端FSBL，用户应用程序的在线升级，重构。通过修改FSBL程序增加通过调试串口接收上位机命令的功能。并通过设定超时时间，确定修改后的FSBL程序是否在超时时间内接收到上位机的命令，并依次进入升级程序和重构程序，本发明使用多串口卡，可以同时完成多个产品上软件的在线升级重构。较传统升级方法，极大的提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN113030523A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110241927.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于光学成像微系统模块的老化测试插座，透光镜安装框架的下端面连接有透光镜头，透光镜安装框架的上端面连接有印制电路板，印制电路板的上端面连接有基板，基板上设置有若干测针，基板固定在光学成像微系统模块安装框架的下端面，光学成像微系统模块安装框架中用于安装待测光学成像微系统模块，待测光学成像微系统模块通过测针与印制电路板导通，基板和印制电路板上开设有与透光镜头连通的通孔；散热模块安装框架活动连接在光学成像微系统模块安装框架的上端面，散热模块安装框架的底部连接有导热元件，散热模块安装框架的顶部设置有散热元件。本发明能够实现光学采集测试、系统性能测试和老化筛选测试，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN111696879A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010544602.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量；步骤2，先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘，之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄，露出TSV盲孔底部的导电材料，最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘；步骤3，将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上；步骤4，先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化，再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。本发明将单颗或多颗不同大小的裸芯片及不同物理分布的引出点，转变成标准大小、标准引出点排列，从而降低测试成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117310445A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311277453.4
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种用于MCM‑V集成微系统侧墙互连信号的测试装置及方法，包括功能测试印制板和与功能测试印制板电性连接的MCM‑V集成微系统对外信号扇出结构，以及MCM‑V集成微系统侧墙信号扎测结构；MCM‑V集成微系统对外信号扇出结构和MCM‑V集成微系统侧墙信号扎测结构之间卡接MCM‑V集成微系统；MCM‑V集成微系统对外信号扇出结构靠近MCM‑V集成微系统的一侧设置有多个弹簧针，弹簧针与MCM‑V集成微系统的BGA信号点一一对应互连，MCM‑V集成微系统侧墙信号扎测结构可移动设置有探针，探针用于采集MCM‑V集成微系统侧墙信号点的运行信息；本申请在经济实用的前提下，在集成微系统功能性能测试的同时，快速实现了侧墙互连信号的测量，有效提升了MCM‑V集成微系统的测试筛选效率。
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公开(公告)号：CN113128614B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110477216.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/047 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了基于图像梯度的卷积方法、基于方向卷积的神经网络及分类方法，属于卷积神经网络领域。本发明通过对图像进行基于图像梯度信息的方向卷积以提取图像特征。本发明的基于方向卷积的神经网络，将显式先验知识‑图像梯度信息嵌入深度学习模型中，有效降低网络参数空间的规模，减少局部极值的问题。本发明通过在浅层网络的基础上加入先验知识提升精度，用极少参数的较浅模型达到能与深度模型相比拟的图像分类识别准确率。引入方向卷积的小型化卷积神经网络模型在MNIST数据集上仅用0.062M的参数量就达到了与现有深度模型相比拟的分类精度，其参数量较经典卷积神经网络少了两个数量级。
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公开(公告)号：CN113992908B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111250903.1
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器暗电流的计算方法及系统，所述方法在暗室环境下采集最图像，曝光度以指数级增长，在图像采集正确的前提下，将图像保存为*.RAW格式文件，对图像文件的数据进行解析，在图像数据文件平均值以及平均值所对应的曝光时间的基础上，以最小二乘法拟合曲线，得出CMOS图像传感器暗电流的参数指标，能够解决目前对CMOS图像传感器暗电流测试方法的局限性、复杂性、不够直观的特性以及测试精度的不完善性，有效提供一种基于应用环境下，简单直观的计算CMOS图像传感器暗电流参数指标的方法；缓解设计人员采用第三方测试工具进行人工测量的耗时耗力操作，避免复杂测试方法下，对CMOS图像传感器暗电流参数指标的不精确测试。
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公开(公告)号：CN115036303A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210699535.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV一次集成和LTCC二次集成的计算微系统，包括CPU微模组、NAND微模组、SSD微模组、FPGA微模组、第一DDR3微模组和第二DDR3微模组；CPU微模组和FPGA微模组采用2.5D‑TSV集成工艺进行裸芯片到LTCC基板的电气连接；NAND微模组、第一DDR3微模组和第二DDR3微模组均采用3D‑TSV重构集成工艺进行多芯片同构堆叠，并与LTCC基板进行电气连接；SSD微模组采用2.5D‑TSV和3D‑TSV混合集成工艺进行多芯片异构堆叠，并与LTCC基板进行电气连接；NAND微模组用于大数据存储，第一DDR微模组和第二DDR微模组用于高速数据缓存。能极大提升卫星载荷信息处理能力，且满足其高可靠小体积的需求。
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公开(公告)号：CN113410194A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110663183.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/427 , H01L23/473 , G01M99/00
Abstract: 本发明公开一种基于复合相变材料的M型微通道换热器、检测装置及检测方法，在M型微通道换热器的上基板内层填充复合相变材料，下基板表面设置多个相互垂直的流道，并连通冷却单元内的L型通道，形成交错式的多入口多出口的冷却液流道，使得内部冷却液能够多次改变流动方向并且覆盖整个M型微通道换热器的表面，通过相互垂直的流道和冷却单元中L型通道的相互配合，降低压降和流体速度，达到温度的均匀分配，为电子器件提供可靠的温度环境；同时，复合相变材料能够提高导热率。一种基于复合相变材料的M型微通道换热器的检测装置及检测方法，能够针对性的模仿M型微通道换热器的工作环境，以及检测温度变化值。
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