基于静电激励压阻检测的硅微谐振压力传感器

    公开(公告)号:CN113865755B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202111040514.6

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励压阻检测的硅微谐振压力传感器,传感器采用压力敏感膜和谐振器复合的二次敏感结构,其中谐振器为面内平行反向振动。谐振器与压力敏感膜通过锚点连接,当外界压力作用于压力敏感膜并使其发生变形时,该变形将通过压力敏感膜上的硅岛与锚点传递给谐振器,使谐振器上谐振梁的内应力发生改变,从而改变谐振器的固有谐振频率。在拾振梁上布置有压敏电阻用来完成谐振频率的拾取,而后通过与耦合梁相连接的第一蛇形梁实现压阻信号输出。

    一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113526452B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202110694517.5

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元;压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底,背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片,凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构,在凸起岛之外,压力敏感膜片之内,沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条;温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶;当压力作用在芯片上时,压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出,同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出,以此完成高温下压力和温度的实时检测,具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。

    基于惯性测量单元的呼吸深度与呼吸频率测量装置和方法

    公开(公告)号:CN113768491A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111051202.5

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于惯性测量单元的呼吸深度与呼吸频率测量装置和方法,包括用于提供相对参考系的外壳、作为胸部呼吸深度与呼吸频率测量装置的内壳以及第一、第二惯性测量单元。首先通过内外壳以及弹簧连接,为胸部的运动提供了相对参考,再次采用相同的惯性测量单元以及相同的加速度信号处理算法,得到人体呼吸深度与呼吸频率,使得本装置可以避免测量呼吸时由于人体运动产生的干扰,从而获得了一种可实现人体呼吸深度与呼吸频率实时高精度测量的装备和方法,解决了目前呼吸频率监测缺乏实时性且精度受人体运动状态影响较大,而呼吸深度缺乏测量装备和方法的问题。

    一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113526452A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110694517.5

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元;压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底,背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片,凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构,在凸起岛之外,压力敏感膜片之内,沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条;温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶;当压力作用在芯片上时,压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出,同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出,以此完成高温下压力和温度的实时检测,具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。

    基于惯性测量单元的呼吸深度与呼吸频率测量装置和方法

    公开(公告)号:CN113768491B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111051202.5

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于惯性测量单元的呼吸深度与呼吸频率测量装置和方法,包括用于提供相对参考系的外壳、作为胸部呼吸深度与呼吸频率测量装置的内壳以及第一、第二惯性测量单元。首先通过内外壳以及弹簧连接,为胸部的运动提供了相对参考,再次采用相同的惯性测量单元以及相同的加速度信号处理算法,得到人体呼吸深度与呼吸频率,使得本装置可以避免测量呼吸时由于人体运动产生的干扰,从而获得了一种可实现人体呼吸深度与呼吸频率实时高精度测量的装备和方法,解决了目前呼吸频率监测缺乏实时性且精度受人体运动状态影响较大,而呼吸深度缺乏测量装备和方法的问题。

    一种基于静电激励电容检测的硅谐振压力传感器

    公开(公告)号:CN115265848A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210907400.5

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的硅谐振压力传感器,包括依次设置的玻璃层,谐振器层以及敏感膜层,敏感膜层包括压力敏感膜和固定在压力敏感膜层上的两个硅岛;所述谐振器层包括分别与两个硅岛连接的两个可动锚点;每个可动锚点一端两侧分别与两个谐振梁第一端连接,位于同一侧的谐振梁第二端与同一个质量块连接,两个质量块通过耦合梁连接;所述耦合梁包括四根一端连接至连接点的单梁;谐振梁外侧设置有激励结构,激励结构外设置有检测结构。本发明的耦合梁为四点接触式耦合梁,在满足对两质量块耦合并为谐振器提供刚度增大模态频率间隔的同时,也能够有效减少加速度冲击对耦合梁结构的影响,从而保证传感器工作的稳定性。

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