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公开(公告)号：CN117038712B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311064504.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种二维InGa3(ZnO)m超晶格纳米带及其制备方法，制备步骤包括将铟源、镓源和锌源混合后溶于有机溶剂中，然后加入稳定剂反应，经避光陈化后得到In‑Ga‑Zn‑O前驱体溶液；将In‑Ga‑Zn‑O前驱体溶液覆盖在带有Al2O3基底的ZnO纳米带表面，经烘干后再于800‑1000℃下热处理5‑60min，得到二维InGa3(ZnO)m超晶格纳米带。由于ZnO纳米带生长方向的不同，In、Ga原子在ZnO中有着不同的扩散形态，且极低的In、Ga元素含量使得ZnO纳米带的结构发生巨大改变，制备出的新型2D材料在结构、电学、光学等方面性质与ZnO纳米带也不相同。
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公开(公告)号：CN117269262A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311223253.0
申请日：2023-09-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO纳米壁的超快响应H2S气敏传感器及其制备方法，属于气体检测技术领域。上述H2S气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)制备ZnO前驱体种子液；(2)制备ZnO生长液；(3)将基底浸没于ZnO前驱体种子液，然后取出进行热处理，冷却；(4)将步骤(3)处理完毕的基底与ZnO生长液混合，进行水热生长，清洗，热处理，冷却，制得。本发明的制备方法简单便捷，成本低廉，具有极强的普适性与可操作性；本发明制得的H2S气敏传感器具备更快的响应恢复时间，优良的气体选择性，可以准确地对H2S气体做出响应，为环境监测、医疗诊断、工业生产等领域中的应用提供了理论支持和技术指导。
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公开(公告)号：CN111217319B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201911144602.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法，步骤如下：一维ZnO纳米线阵列的预处理；前驱体溶液的制备；一维ZnO纳米异质结阵列的制备：1、吸取适量前驱体溶液，滴加于ZnO纳米线阵列B之中，待液体完全扩散开后，静置10～15s；2、将另一ZnO纳米线阵列A按照衬底背面垂直朝上的方式置于阵列B之上，同时在阵列A的衬底背面中心处放置定值砝码，之后静置5～10min，前驱体溶液由阵列B向上移动至阵列A；3、从阵列B上取下阵列A，保持阵列A的衬底背面垂直朝下，然后进行退火处理，所得阵列A即为所制备的一维ZnO纳米异质结阵列。本发明方法操作简单，成本低廉，具有较好的重复性，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN109264769B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201811104632.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种IGZO超晶格纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将铟盐、镓盐、锌盐按照In：Ga：Zn原子比为5:5:4的比例溶于溶剂中，加入稳定剂；步骤2：将步骤1制备的溶液在60～70℃，搅拌条件下充分反应后得到透明均匀凝胶；静置陈化后得到In‑Ga‑Zn‑O前驱体；步骤3：采用步骤2制备得到的In‑Ga‑Zn‑O前驱体包裹ZnO纳米线阵列，烘干后退火处理即得IGZO超晶格纳米线阵列；本发明制备得到的IGZO超晶格纳米线阵列纯度高、结构和组成均匀性更高，操作简单、成本低廉，适合大批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107857294B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201711034675.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用ZnO颗粒外延生长制备Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1：Zn‑Sn‑O前驱体的制备；将乙醇胺置于乙二醇甲醚溶剂中，得到有机物饱和溶液；将SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比为1：1加入到有机物饱和溶液；搅拌形成凝胶，老化后得到所需Zn‑Sn‑O前驱体；步骤2：Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒制备；将ZnO颗粒置于乙二醇甲醚溶剂中得到ZnO颗粒溶液；超声粉碎、抽泡后加入步骤1中制备的Zn‑Sn‑O前驱体，并搅拌均匀得混合溶液；将混合溶液超声粉碎并抽泡后进行干燥，最后进行退火后得到目标产物；本发明制备方法简单、环境友好、价格低廉；制备的Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒粒度分布均匀、纯度高、分散性好、结晶完整、易于控制。
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公开(公告)号：CN107857294A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711034675.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2002/01 , C01P2004/04 , C01P2004/82
Abstract: 本发明公开了一种利用ZnO颗粒外延生长制备Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1：Zn-Sn-O前驱体的制备；将乙醇胺置于乙二醇甲醚溶剂中，得到有机物饱和溶液；将SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比为1：1加入到有机物饱和溶液；搅拌形成凝胶，老化后得到所需Zn-Sn-O前驱体；步骤2：Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒制备；将ZnO颗粒置于乙二醇甲醚溶剂中得到ZnO颗粒溶液；超声粉碎、抽泡后加入步骤1中制备的Zn-Sn-O前驱体，并搅拌均匀得混合溶液；将混合溶液超声粉碎并抽泡后进行干燥，最后进行退火后得到目标产物；本发明制备方法简单、环境友好、价格低廉；制备的Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒粒度分布均匀、纯度高、分散性好、结晶完整、易于控制。
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公开(公告)号：CN119208465A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411326311.7
申请日：2024-09-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线及其制备方法，涉及超晶格纳米线制备技术领域。其制备方法包括：将锌源、钪源和镓源溶于有机溶剂中，加入稳定剂，搅拌，陈化，得到ScGa‑ZnO前驱体溶液；通过毛细作用，将ZnO纳米线包覆，烘干，热处理，得到一维ScGa3(ZnO)n超晶格纳米线。本发明采用高温固态扩散技术，巧妙地将微量的Sc和Ga元素融入ZnO一维材料中，从而成功构建了超晶格结构，同时保持了ZnO纳米线的主要基础属性，Sc和Ga元素以近似原子链的形式精细修饰在ZnO纳米线的表面，为材料赋予了新的特性和功能。本发明解决了现有技术中缺乏过渡元素掺杂超晶格纳米线的问题。
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公开(公告)号：CN119191362A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411326316.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Sc‑Fe‑Zn‑O超晶格纳米颗粒及其制备方法和应用，属于超晶格纳米颗粒材料技术领域。本发明基于材料自身的特性，采用高温固态扩散技术，用焦耳热工艺代替传统的管式炉热处理过程，将这些被包裹Sc‑Fe‑Zn‑O复合前驱体的ZnO纳米颗粒在前驱体的辅助下发生相互作用与重构，最终合成出具有超晶格结构的纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN109382087B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201811403748.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡‑锡酸锌核壳纳米线及制备方法，包括以下步骤：步骤1：将SnO2粉末和石墨粉按摩尔比为1:4混合，研磨均匀，得到SnO2+C粉；将ZnO粉末和石墨粉按摩尔比为1:1混合，研磨均匀，得到ZnO+C粉；步骤2：将基底镀金膜后，置于沉积区升温至918℃，将SnO2+C粉置于气相沉积系统高温区加热至980℃，在基底上通过气相沉积生长SnO2纳米线；步骤3：将ZnO+C粉置于气相沉积系统高温区，在基底上通过气相沉积生长Zn2SnO4壳层，降温后即得目标产物；本发明制备得到的SnO2‑Zn2SnO4核壳纳米线核壳结构明显，衬度均匀，界面与外表面光滑平整，具有极好的外延关系，制备方法简单、维护方便。
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