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公开(公告)号：CN110119071B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201810117030.9
申请日：2018-02-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种干涉光刻系统，包括位相元件、第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜和锥透镜组，位相元件、第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜沿着光轴传播方向依次设置，第一透镜与第二透镜形成一组4F成像系统，第三透镜与第四透镜形成另一组4F成像系统，锥透镜组沿着光轴传播方向可移动地设置于第三透镜与第四透镜之间。本发明的干涉光刻系统结构简单，制作成本低，能够实现多角度、变周期干涉光刻。本发明还涉及一种打印装置和干涉光刻方法。
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公开(公告)号：CN109932869B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711375723.X
申请日：2017-12-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字光刻方法，包括以下步骤：包括以下步骤：S1：生成三维形貌数据；S2：沿着竖直方向将三维形貌数据分切成N层二维矢量图数据；S3：将二维矢量图数据转换成二维数字化像素图像；S4：将二维数字化像素图像分割成n条等间距的基础长条带图像数据；S5：根据分切层数N，分割的条数n，对分割后的基础长条带图像数据重组，形成新的长条带图像数据；以及S6：将新的长条带图像数据上载至成像设备进行逐条带扫描光刻。本发明的数字光刻方法能够方便地形成大尺寸微结构形貌的光学薄膜。本发明还涉及一种数字光刻系统。
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公开(公告)号：CN112799285A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911115004.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN111999984A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910448289.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。
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公开(公告)号：CN114913559B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110179852.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06V40/13 , G06V10/147 , G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列成像组件的生产装置及制备方法，该微透镜阵列成像组件的生产装置通过传输系统传输基底，使基底依次通过出胶系统、压印系统、喷涂系统、显影系统和清洁系统，以依次完成在基底上涂覆胶水、在基底上压印出微透镜阵列、在基底正面和背面涂覆黑色光阻材料和挡光材料并在基底背面进行曝光、向基底正面喷涂显影剂以及对基底进行清洁，从而制备得到高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117666292A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211462987.X
申请日：2022-11-22
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 南京大学 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种用于偏振干涉光刻的光路结构与偏振干涉光刻系统，所述光路结构包括串接在光路上的光源模块、偏振组件、分光组件、成像组件；所述光源模块用于产生具有相干特性的线偏振光束；所述分光组件用于将射入的光线分出两束光线且射向所述成像组件，两束光线的夹角可变且可绕入射光线光轴旋转，所述成像组件用于将两束光线汇聚在光刻基片表面；所述分光组件配合所述偏振组件用于将线偏振光进行光学调制，使光束到达光刻基片时为两束偏振方向相反的圆偏振光，进而形成偏振干涉光场。本发明建立偏振干涉光刻系统，通过控制分光组件和偏振组件，能调节光场中偏振结构的周期、取向等参量，与偏振感光材料进行光化学作用，形成特定的偏振图形分布，偏振光刻系统根据预定义的偏振图形设计文件，控制上述偏振光场参量与基片的坐标走位，进行光场拼接光刻，在光刻基片上形成预期的偏振图形分布。
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公开(公告)号：CN116750712A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210051875.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 一种多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，多层微结构仿生干黏附结构包括多个多层微结构单元，每一所述多层微结构单元包括底层的微米级柱体结构、中间层的微米级蘑菇头结构，以及顶层的纳米阵列结构，其中纳米阵列结构为纳米柱阵列结构或者纳米孔阵列结构。本发明提供的多层微结构仿生干黏附结构、模具及其制备方法，通过设置顶层的纳米阵列结构，使得微结构与物体面之间的接触端由微米量级的蘑菇头“面结构”变成纳米量级的纳米珠阵列或纳米孔阵列的“点结构”，增加了接触面积，进一步提升产品的黏附性能，结构稳定性更强。
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公开(公告)号：CN116068856A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111277340.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 一种蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法，蘑菇状微结构的制备方法，包括：提供基板；在所述基板表面涂布光刻胶；软烘所述光刻胶；图形化紫外曝光所述光刻胶，包括：使所述光刻胶表面吸附一定量的碱性分子形成一层显影钝化层，所述碱性分子能与由紫外曝光所产生的酸性分子发生中和反应而消耗一部分酸性分子，以及对形成了显影钝化层的所述光刻胶进行图形化紫外曝光；显影图形化紫外曝光后的所述光刻胶，利用所述显影钝化层的显影速率低于中间层和底层光刻胶，去掉部分所述光刻胶，保留的所述光刻胶形成所述蘑菇状微结构。本发明工艺复杂程度低、步骤简单，而且蘑菇头几何尺寸精度可控、可大面积稳定加工，有助于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN115993755A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111215136.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 一种蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法，蘑菇状微结构的制备方法包括：提供基板；在所述基板表面涂布光刻胶；软烘所述光刻胶，涂布完成后快速将让带所述光刻胶的所述基板放置于预定温度的烘箱内部进行快速烘烤，在所述光刻胶表面形成一层曝光钝化层，同时所述光刻胶中间层和底层处于正常曝光所需的半固态，从而使所述光刻胶由上而下、由表及里是溶剂含量逐层减少，硬度逐层降低；图形化曝光显影，利用所述曝光钝化层的光化学反应程度低于中间层和底层光刻胶，去掉部分所述光刻胶，保留的所述光刻胶形成所述蘑菇状微结构。本发明工艺复杂程度低、步骤简单，而且蘑菇头几何尺寸精度可控、可大面积稳定加工，有助于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN115717256A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110976414.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种金属掩模版电铸母版、金属掩模版及其制备方法，其金属掩模版电铸母版用于通过电铸生成金属掩模版，包括图形化导电基板，所述图形化导电基板第一表面设有凹陷，所述第一表面非凹陷部分包含所述金属掩模版的图案，所述凹陷内填充有非导电材料。本发明提供的金属掩模版电铸母版、金属掩模版及其制备方法，通过图形化导电基板第一表面设有凹陷，采用非导电材料在凹陷内进行填充，电铸后剥离金属掩模版时，非导电材料也不会脱落，从而该电铸母版能重复多次使用，能显著降低工艺成本。
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