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公开(公告)号：CN107908086B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201711122043.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种基片的预对准方法，该基片的预对准方法通过在基片上投影一幅特征图像和测距图像来确定边缘上边缘点的坐标，并根据边缘点坐标来计算基片的倾斜角度和基片中心坐标，最后通过移动工件台来使基片中心坐标和成像中心坐标对准，实现快速高效高精度的预对准工作。与现有技术相比该基片的预对准方法有着无需增加现有直写设备硬件成本、步骤简单、预对准精度高的优势。
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公开(公告)号：CN112132948A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910490271.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种图像处理方法，该方法的具体步骤包括：S1：建成灰度模型图；S2：计算灰度模型图X方向的扫描线的集合；S3：计算X轴扫描线集合中每一条扫描线与灰度模型图的所有交点的坐标，并分组；S4：计算扫描线集合中相应区间的每一条扫描线的每一组交点内的所有像素点的物理高度；S5：转换各区间所有像素点的灰度值得到灰度位图。本发明还公开一种图像处理装置，设有上述图像处理方法；本发明还公开本发明还公开一种光刻系统，包括执行上述图像处理方法；本发明还公开一种计算机可读存储介质，包括储存上述图像处理方法。通过计算图像中每个像素点的灰度值，可以实现任一幅面具有立体浮雕效果的结构的图像处理。
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公开(公告)号：CN111290217A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811489966.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种用于光刻基片的承载台，包括基片承载部件，基片承载部件包括至少一个用于放置基片的放置区，放置区一侧设有至少两个标识放置结构，用于放置对位标识元件。本发明还公开一种光刻机，包括上述承载台、用于连接该承载台的工作台，工作台包括固定平台、调节转台，调节转台底部连接固定平台，调节转台顶部连接上述用于光刻基片的承载台，用于调节上述承载台上基片的角度。本发明还公开一种基片光刻方法，通过上述光刻机光刻放置在上述承载台上基片的正方两面。通过标识放置结构，使带有标识的元件可以重复使用，无需在每块待刻的基片上写入对位标识，简化了制作流程，节约了成本。
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公开(公告)号：CN118330993A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310034683.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种多光学头并行的快速光刻系统及方法。所述系统包括：掩模版、基片及多个光学头，每个光学头包括光刻照明模组和掩模投影光学模组，光刻照明模组、掩模版、掩模投影光学模组及基片沿光路依次设置，掩模投影光学模组为反向成像模组，投影光斑为掩模版的照明光斑的放大、倒立的实像。整个系统通过多光学头并列放置的空间布局和光学投影成像尺寸的匹配，各个光学头可以并行扫描曝光，解决单个光学头视场有限的问题，原理上幅面不受限制，且本发明光路实施可行性高，可利用若干小尺寸掩模版拼接光刻实现大尺寸完整图形，易于加工实现，且降低生产应用成本。
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公开(公告)号：CN114913558A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110179851.7
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及的一种微透镜阵列成像组件的制备方法，包括：S1、提供微透镜阵列组件，微透镜阵列组件包括基底和形成在基底正面的若干微透镜单元，若干微透镜单元形成微透镜阵列；S2、在基底的背面制备若干遮光部，遮光部由挡光材料形成，遮光部正对微透镜单元的位置布置；S3、在正面涂覆黑色光阻材料，黑色光阻材料为负性感光材料；S4、对背面进行紫外泛曝光；S5、溶解去除涂覆在微透镜单元上的黑色光阻材料；S6、去除遮光部。本申请通过在基底的正面涂覆黑色光阻材料、在基底的背面精准的涂覆挡光材料,并在基底的背面进行紫外泛曝光，从而制备得到在微透镜单元的间隙上精确覆盖黑色光阻材料的高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815489A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110062212.2
申请日：2021-01-18
Applicant: 维业达科技(江苏)有限公司 , 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G03B21/602 , G03B21/60 , G02B3/08 , G02B27/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种投影幕布。所述投影幕布至少包括着色层、扩散层、菲涅尔透镜层中的一层、以及反射层；其中，菲涅尔透镜层为球面菲涅尔透镜层或非球面菲涅尔透镜层，菲涅尔透镜层包括沿着一平面突起的若干环状凸起，所述若干环状凸起以环带排列，且沿着垂直于所述平面的截面，每个环状凸起的截面形状为三角形或多台阶形或自由面形，每个截面形状平行于所述平面的边宽度渐变，截面形状及其宽度的渐变，决定球面菲涅尔透镜层或非球面菲涅尔透镜层的聚光特性；每个环状凸起表面具有散点微结构，反射层为金属层或金属合金层，且其采用电镀、蒸镀、溅射或涂布工艺制备。本发明提供的投影幕布表现出比现有投影幕布具有更高的亮度、以及更大的视角。
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公开(公告)号：CN106406061B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611033273.1
申请日：2016-11-16
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种体全息元件，其包括至少一像素化的信息层和至少一基材层，信息层设置于基材层上，或者信息层设置于相邻的两基材层之间；从体全息元件的剖面看，其信息层具有阵列分布的像素化的条纹面，每个像素内部的条纹面具有周期性，并且与基片平面具有夹角，每个像素为反射布拉格体光栅。本发明还公开了一种像素化反射体全息元件的制作方法和制作系统。本发明通过干涉光束调控、在体全息记录材料的感光层上进行像素化拼接曝光，经后续化学或物理处理，构成复杂光学参数的像素化的反射体全息光学元件。
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公开(公告)号：CN111999984B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910448289.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。
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公开(公告)号：CN113009705A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911317253.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除零级衍射影响的结构光组件，包括：激光光束；衍射光学器件，用于接收及扩束激光光束，并向图形面投射图案化光束；折射透镜，位于衍射光学器件的一侧，用于使图案化光束中的零级衍射光在图形面上形成背景光，并使图案化光束中的负一级衍射光或正一级衍射光在图形面上聚焦形成图案。本发明提供的消除零级衍射影响的结构光组件，将衍射器件和折射透镜相结合，入射激光从衍射器件出射到图形面之间没有聚焦点，既能使图形面上形成的图案更加清晰，也能对激光安全防护起到作用。
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公开(公告)号：CN112799286A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911115238.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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