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公开(公告)号：CN113078801B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110347587.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H02M1/08 , H02M1/32 , H03F3/45 , H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、发送端低压产生电路和接收端低压产生电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压功率器件。
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公开(公告)号：CN113067564B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113645761A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110908211.5
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有校准功能的贴片机，包括：贴片平台；贴片机头，所述贴片机头通过平面移动机构架设于所述贴片平台上；基板固定座，所述基板固定座通过姿态调整机构安装于所述贴片平台上，所述基板固定座表面涂刻有第一位置标记；图像采集装置，所述图像采集装置架设于所述所述贴片平台上方，所述图像采集装置用于采集第一位置标记；处理单元，所述贴片机头、平面移动机构、姿态调整机构、以及图像采集装置均与处理单元连接。
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公开(公告)号：CN113644019A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110907503.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置，包括：平移轨道，所述平移轨道架设于预设位置；行走座，所述行走座行走于所述平移轨道上；升降座，所述升降座安装于所述行走座底端；复合上料机构，所述复合上料单元安装于所述升降座底端；其中，所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置，复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料，行走座带动料盒沿着平移轨道运动，升降座完成料盒的升降，从而完成料盒的复合上料，上料方式多样，提高了工作效率，迎合了生产需求。
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公开(公告)号：CN113067564A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112609242A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN112584607A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011419622.X
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连接在一起，结构稳定，避免在使用过程中发生脱落，增加了器件的使用效果。
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公开(公告)号：CN112104370A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011022536.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。
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公开(公告)号：CN119716480A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411892202.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多点采集的芯片高低温试验方法，具体包括如下步骤：步骤一：采用动态温控阵列对芯片温度进行实时数据分析，并调整温控单元的工作状态；步骤二：构件三维温度监测网络，在芯片表面及周围的三维空间中部署多个高精度温度传感器，实时捕捉温度的空间分布和变化，并将三维温度数据导入可视化软件中，生成实时的三维温度分布图；通过智能控制和自适应调整，实现了局部温度的精确控制，有效解决了温度不稳定性的问题，提高了测试的准确性和可靠性，同时构建了全方位的温度监测体系，能够实时捕捉温度的空间分布和变化，为识别和修正温度不均匀性提供了有力支持，并且避免了温度传感器与芯片直接接触导致的测温误差。
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公开(公告)号：CN119596113A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411819789.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统，具体包括如下步骤：步骤一：构建多应力条件综合测试平台；步骤二：制定包含多应力条件的测试标准；步骤三：优化样品处理与测试夹具设计，针对碳化硅集成电路的特点，设计合适的测试夹具，确保样品在测试过程中不会受到损坏或性能下降；通过实施构建多应力条件综合测试平台、制定包含多应力条件的测试标准、优化样品处理与测试夹具设计、提升测试设备精度与校准频率以及建立持续监测与反馈机制一系列具体且融入公式的步骤，综合提升碳化硅集成电路在高温环境下的可靠性测试水平，确保测试结果的准确性和可靠性，为碳化硅集成电路的可靠性评估提供统一标准和有力支持。
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