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公开(公告)号：CN112331737A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011197948.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电领域，公开了一种紫外‑可见‑近红外硅基光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括透明保护层、粘结剂、正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层和底板。正面金属薄膜和无序纳米碗阵列层的复合结构可以显著抑制200～2500nm波段范围内的光反射，硅基底背面的金属薄膜近乎完全反射到达硅基底界面的光子，使得器件整体的透射率接近零。利用无序纳米碗阵列化硅基底及沉积于上的金属薄膜对入射光子的高效吸收和光生载流子的有效收集，本方案可以在室温、无外加偏压下对紫外‑可见‑近红外波段的光子实现显著光电响应和有效探测，且对光子的偏振和入射角度不敏感。
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公开(公告)号：CN108169171B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711291796.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法，其特征在于：其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板，通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构，所述叠层结构具有与背景物质折射率相关的表面等离子激元共振峰位，据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法，利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰，实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
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公开(公告)号：CN109100327B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811041364.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备，涉及微纳尺度的制备及微纳光学，属光信息领域；提出了一种金纳米块阵列的制备方法，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列；实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工；由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备，制备成本相较其他方法要低；本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振，利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测，金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号：CN109100327A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811041364.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
CPC classification number: G01N21/41 , G01N21/554
Abstract: 本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备，涉及微纳尺度的制备及微纳光学，属光信息领域；提出了一种金纳米块阵列的制备方法，将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中；去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面，从而得到金纳米块阵列；实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工；由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备，制备成本相较其他方法要低；本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振，利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测，金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号：CN108169171A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711291796.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法，其特征在于：其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板，通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构，所述叠层结构具有与背景物质折射率相关的表面等离子激元共振峰位，据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法，利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰，实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208795654U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821462341.0
申请日：2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型公开了一种用于测试折射率的传感器，涉及微纳尺度的传感器件，属光信息领域；该传感器包括金纳米块阵列模组、用于封装所述金纳米块阵列模组的壳体及500~1500 nm波段高透的薄膜，所述金纳米块阵列模组封装于所述壳体中，所述薄膜覆盖在壳体表面用于密封，其特征在于所述的金纳米块阵列模组依次由衬底层、金薄膜层、聚电解质层、金纳米块阵列层复合组成；本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振，利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测，金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号：CN215448982U
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202120951134.7
申请日：2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型属光学传感技术领域，提出一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号：CN216107248U
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202122209020.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/089 , C25B11/087 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及Pt基纳米合金催化剂。该一种光电极，选用p型单晶硅基底作为平面硅基底，所述平面硅基底的一侧配置有背导电层，所述背导电层连接导线，所述平面硅基底的与所述背导电层相对侧上配置有硅微纳米线阵列层及活性金属层。该Pt基纳米合金催化剂的纳米合金的尺寸可控，空间分布是均匀的。并通过试验验证本申请提出的实施方式获得的纳米合金催化剂，具有优异和稳定的催化活性。
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公开(公告)号：CN209052400U
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201821530176.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B3/04
Abstract: 本实用新型属光电转换与新能源领域；为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题，公开了一种用于光解水的双吸收层光阳极，所述的双吸收层光阳极为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层；其特征在于：硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层，所述的钝化层各处厚度相等；通过原子层沉积技术在内外吸收层之间设置钝化层，可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面，且厚度可控制至0.1 nm级别，进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
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公开(公告)号：CN214472764U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120327193.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本实用新型属于电子信息领域，涉及一种电信号直接读出的光学传感装置，激发光照射至周期性金属纳米结构阵列层，待测物注入流通池并浸没传感芯片，之后，传感芯片将具有特征反射谷的反射光谱；当待测物的浓度或种类变化时，反射光谱特征反射谷的中心位置将发生变化；进而导致传感装置的光响应度谱的特征峰位发生位移，直接表现为两根引线间的光电流发生变化。通过装置输出光电流的变化，可反演出待测物的浓度或种类。本装置无需外置半导体光电探测单元，即可实现电信号直接读出的工作特性；此外，可工作在自驱动工作模式下，所采用的光源在传感测试过程中无需改变入射角度、功率和波长。
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