公开(公告)号：CN112753095A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062898.6

申请日：2019-09-18

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 土居阳彦 ,  山口哲史 ,  菅原将人 ,  盛池孝直 ,  井上将来

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。

公开(公告)号：CN102209765B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN200980144360.6

申请日：2009-11-04

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  浜口刚吏 ,  佐藤宽司 ,  山口哲史 ,  土居阳彦

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  G11B5/84 ,  C03C19/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B29/00 ,  B24B37/044 ,  B24B37/048 ,  C01B33/14 ,  C03C19/00 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  G11B5/8404

Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。

公开(公告)号：CN1923943B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200610108436.8

申请日：2006-08-02

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 山口哲史

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，以及使用该研磨液组合物的基板的研磨方法。所述研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b)表面活性剂为以通式(1)或(2)所示的磺酸或其盐，且(c)研磨液组合物的pH值为特定范围。该研磨液组合物例如适合用于磁盘、光盘、光磁盘等盘状记录介质用的基板的研磨。

公开(公告)号：CN116507688A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079804.3

申请日：2021-11-12

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 菅原将人 ,  山口哲史

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可提升氧化硅膜研磨中的研磨选择性的氧化硅膜用研磨液组合物。本发明的一个方式涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、水溶性阴离子性缩合物(成分B)、及水系介质，且成分B是包含下述式(I)所表示的单体(结构单体b1)及下述式(II)所表示的单体(结构单体b2)的单体的共缩合物，成分B中的结构单体b1相对于结构单体b1与结构单体b2的合计的摩尔比(％)大于30％。

公开(公告)号：CN102863943A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210334863.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 山口哲史

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  G11B5/84

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种硬盘用基板用研磨液组合物，该研磨液组合物含有二氧化硅、酸、表面活性剂和水，其中(a)25℃时酸在水中的溶解度大于等于1g/100g饱和水溶液，(b)表面活性剂为以下述通式(1)所示的磺酸或其盐，且(c)研磨液组合物的pH值为0～4，所述表面活性剂的含量为0.005～2重量％，通式(1)中，R表示碳原子数为6～20的全氟烃基，X表示从芳香烃的芳香环去掉2个氢原子后的残基，n表示0或1。本发明还提供使用上述研磨液组合物来研磨、制造基板的方法以及降低基板的端面下垂的方法。R-(O)n-X-SO3H (1)

公开(公告)号：CN101063031A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710101113.0

申请日：2007-04-26

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 大岛良晓 ,  山口哲史 ,  土居阳彦

IPC: C09K3/14 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子，用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到的值为100－130的范围。