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公开(公告)号：CN101063031B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710101113.0
申请日：2007-04-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/84
Abstract: 本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子，用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到的值为100—130的范围。
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公开(公告)号：CN102209765A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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公开(公告)号：CN1187427C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02118591.3
申请日：2002-04-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 大岛良晓
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 含有磨料、氧化剂、作为研磨促进剂的有机膦酸及水的研磨液组合物，包括用该研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤的基板制造方法，用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的方法，包括用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤的减少被研磨基板微小擦伤的方法，以及用上述研磨液组合物促进磁盘用基板的研磨的方法。上述研磨液组合物适合研磨记忆硬盘驱动器所用的要求有高表面质量的磁盘用基板。
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公开(公告)号：CN1519293A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004018.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物，包含在水基介质中的硅石微粒，其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系，且其中在该硅石微粒的粒径60～120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系；一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法，包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；一种记忆硬盘用基板的制造方法，包含用该研磨液组合物对镀Ni－P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1325933A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01117604.0
申请日：2001-04-27
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2－20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1－20个碳原子的单羧酸、具有2－3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;和一种辗轧减少剂组合物,它含有一种辗轧减少剂,该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2－20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1－20个碳原子的单羧酸、具有2－3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物和研磨剂及水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119122B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN100390245C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN02142015.7
申请日：2002-08-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , G11B5/8404
Abstract: 一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法，它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
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公开(公告)号：CN101063031A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101113.0
申请日：2007-04-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/84
Abstract: 本发明的磁盘基板用研磨液组合物含有水、二氧化硅粒子和选自酸、酸的盐和氧化剂中的至少一种，其中，对于上述二氧化硅粒子，用将透射型电子显微镜观察测定得到的所述二氧化硅粒子的最大径作为直径的圆面积除以所述二氧化硅粒子的投影面积再乘以100所得到的值为100－130的范围。
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公开(公告)号：CN1247731C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN01117604.0
申请日：2001-04-27
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种辗轧减少剂，它含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物；和一种辗轧减少剂组合物，它含有一种辗轧减少剂，该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2-20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1-20个碳原子的单羧酸、具有2-3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物和研磨剂及水。
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公开(公告)号：CN1384170A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02118591.3
申请日：2002-04-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 大岛良晓
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 含有磨料、氧化剂、作为研磨促进剂的有机膦酸及水的研磨液组合物,包括用该研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤的基板制造方法,用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的方法,包括用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤的减少被研磨基板微小擦伤的方法,以及用上述研磨液组合物促进磁盘用基板的研磨的方法。上述研磨液组合物适合研磨记忆硬盘驱动器所用的要求有高表面质量的磁盘用基板。
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