公开(公告)号：CN101939839A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880126428.3

申请日：2008-12-23

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 野崎秀俊 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种背面受光影像传感器，其包括一具有一P-型区的半导体层。一正面及背面P+掺杂层形成于该半导体层内。具有一光电二极管的一影像像素形成于该半导体层内，其中该光电二极管是在该半导体层的P-型区内、于该正面P+掺杂层与该背面P+层之间形成的一N-区。

公开(公告)号：CN102376730B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201110245139.9

申请日：2011-08-18

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 野崎秀俊 ,  代铁军

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/148 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66537 ,  H01L2924/12043

Abstract: 本发明涉及嵌入传送栅。本文所公开的图像传感器像素包括：半导体层、用于累积光生电荷的感光区、浮动节点、沟槽及嵌入传送栅。该感光区及该沟槽安置于该半导体层内。该沟槽延伸至该半导体层中、介于该感光区与该浮动节点之间，且该嵌入传送栅安置于该沟槽内以控制该光生电荷自该感光区至该浮动节点的传送。

公开(公告)号：CN101971340A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880126063.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 野崎秀俊 ,  霍华德·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种像素阵列，其使用衬底(101)形成，其中各个像素具有衬底、形成于该衬底中的感光区域(102、104、106)及反射器(140、142、144)，该衬底具有用于接收入射光(150)的入射侧，该反射器具有复合形状的表面。该反射器被形成于该衬底的与该入射侧相对的部分中，使得入射在该反射器的该复合形状表面上的光(150)朝该感光区域反射。