公开(公告)号：CN115856933A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211650498.7

申请日：2022-12-21

Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 刘浩 ,  万超 ,  赵清源 ,  李志健 ,  孙汉聪 ,  潘佳政 ,  李金朋 ,  王华兵 ,  吴培亨

IPC: G01S17/894 ,  G01S7/483 ,  G01S7/48 ,  G01S7/4861

Abstract: 本发明实施例公开了一种高通量光子计数激光雷达成像装置及方法，该装置包括光束收发模块、扫描模块、控制模块、探测模块和数据处理模块，控制模块控制扫描模块改变脉冲激光输出的方向以实现待测目标的扫描；探测模块包括单光子探测器和时间相关单光子计数采集单元；同步信号采集通道与脉冲激光器连接以采集脉冲激光同步信号。本发明引入了具备光子数分辨能力的单光子探测器，可以实现对多个回波光子的同时探测，实现不同光子数的同时响应。本发明有效解决了传统光子计数激光雷达受到低通量弱光工作条件的限制，有效提高了高通量条件下的回波光子信息的采集效率，极大地减少了脉冲累积时间，可以实现更高动态范围和更快速的目标探测。

公开(公告)号：CN115207202A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210531719.2

申请日：2022-05-16

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  黎晓杰 ,  李丁丁 ,  陈士县 ,  孙汉聪 ,  吕阳阳 ,  吴培亨

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。

公开(公告)号：CN111994867A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010764389.2

申请日：2020-08-02

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  徐祖雨 ,  陈士县 ,  田王昊 ,  孙汉聪 ,  吴培亨

IPC: B82B3/00 ,  B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，准备一片450微米厚2英寸的单抛 硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版，在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶，在硅片上滴上LOR10B使胶能够完全覆盖在硅片上。本发明的一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，采用悬空掩模技术、角度蒸发生长薄膜法和反应离子刻蚀技术，制备出硅片上的纳米沟道；通过紫外曝光双层胶显影得到光刻胶悬空微桥，再通过电子束蒸发角度生长铝膜，得到铝膜的纳米间隙，最后使用铝薄膜作为掩模，通过反应离子刻蚀技术刻蚀硅片，去除铝膜后即可得到硅的纳米沟道，同时这种方法可以实现大规模量化生产，价格低廉。