基板处理装置和方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107665805A

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201710627791.4

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 一种基板处理装置,包括:处理室,在其内部具有处理空间;支撑单元,其布置在处理室中以支撑基板;供气单元,其被配置为将工艺气体提供到处理室中;等离子体产生单元,其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括:上电极,其布置在基板上;下电极,其布置在基板下方以与上电极竖直相对;三个高频电源,其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括:频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源;和频率为10MHz以上的第三频率电源。

    基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

    公开(公告)号:CN107342207A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710291951.2

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法,其可以按每个区域控制基板的温度,并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括:支撑板,用于支撑基板;多个加热单元,放置在基板的不同区域中,并且按每个区域控制基板的温度;电源单元,用于提供功率以控制基板的温度;开关单元,连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间,并且包括一个或多个晶体管器件;以及控制器,用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

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