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公开(公告)号：CN1186802C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN00810687.8
申请日：2000-03-21
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , B23K26/0853 , B23K26/3576 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/302
Abstract: 揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中，该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110)；用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120)；用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144)；用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170)；用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置；以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。
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公开(公告)号：CN1387675A
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN00815450.3
申请日：2000-08-29
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
CPC classification number: B23K26/0622 , B23K26/0626 , B23K26/066 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
Abstract: 揭示了将非晶硅(542)薄膜样本(170)加工成多晶硅(540)薄膜的方法。在一种较佳装置例中,一种方法包括步骤:产生一个序列的受激准分子激光脉冲(164);将该序列中每个受激准分子激光(110)脉冲调节成一预定流量;按一预定平面均化该序列中每个已调节的激光脉冲;用二维狭缝图案(220)遮蔽该序列中每个均化的流量受控激光脉冲的一部分,以产生流量受控的直线定形细光束脉冲序列,在狭缝图案中的每条狭缝应足够窄,以避免在由细光束照射的硅薄膜样本上相应于该狭缝的区域内引起成核现象;用流量受控的狭缝定形细光束序列照射非晶硅薄膜,由此将相应于定形细光束脉冲序列中的每个流量受控的定形细光束脉冲的部分非晶硅熔化。
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公开(公告)号：CN1363117A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN00810687.8
申请日：2000-03-21
Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0622 , B23K26/066 , B23K26/0853 , B23K26/3576 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/302
Abstract: 揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中,该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110);用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120);用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144);用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170);用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置;以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。
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