公开(公告)号：CN1198318C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN00815428.7

申请日：2000-08-29

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·依姆 ,  R·S·斯波西利 ,  M·A·克劳德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明揭示了将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜的方法和系统。该系统包括：受激准分子激光器(110)，产生具有预定流量的多个受激准分子激光脉冲(111)；能量密度调节器(120)，用于可控地调节该受激准分子激光脉冲的流量；光束均化器(144)，用于按预定平面均化已调节的激光脉冲；掩模(150)，用于遮蔽部分均化已调节的激光脉冲，使其成为定形细光束；样本平台(180)，用于接收定形细光束，以将平台上的非晶硅薄膜样本(170)，相应于该细光束的一部分熔化；平移装置，用于可控地调节样本平台相对于掩模位置的相对位置；和计算机(100)，用于控制受激准分子激光脉冲的可控流量调节及样本平台和掩模的可控相对位置，并且用于协调受激准分子激光脉冲的产生和流量调节与样本平台和掩模的相对位置，由此，通过相对于掩模顺序平移样本平台，以及在其上相应的顺序位置处由变化流量的定形细光束照射样本，将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1387674A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN00815428.7

申请日：2000-08-29

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·依姆 ,  R·S·斯波西利 ,  M·A·克劳德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026

Abstract: 揭示了将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜的方法和系统。该系统包括:受激准分子激光器(110),产生具有预定流量的多个受激准分子激光脉冲(111);能量密度调节器(120),用于可控地调节该受激准分子激光脉冲的流量;光束均化器(144),用于按预定平面均化已调节的激光脉冲;掩模(150),用于遮蔽部分均化已调节的激光脉冲,使其成为定形细光束;样本平台(180),用于接收定形细光束,以将平台上的非晶硅薄膜样本(170),相应于该细光束的一部分熔化;平移装置,用于可控地调节样本平台相对于掩模位置的相对位置;和计算机(100),用于控制受激准分子激光脉冲的可控流量调节及样本平台和掩模的可控相对位置,并且用于协调受激准分子激光脉冲的产生和流量调节与样本平台和掩模的相对位置,由此,通过相对于掩模顺序平移样本平台,以及在其上相应的顺序位置处由变化流量的定形细光束照射样本,将非晶硅薄膜样本加工成单晶或多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1186802C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN00810687.8

申请日：2000-03-21

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·艾姆 ,  R·S·斯波西利 ,  M·A·克劳德

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/38

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/3576 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302

Abstract: 揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中，该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110)；用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120)；用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144)；用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170)；用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置；以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。

公开(公告)号：CN1363117A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN00810687.8

申请日：2000-03-21

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·艾姆 ,  R·S·斯波西利 ,  M·A·克劳德

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/38

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/3576 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302

Abstract: 揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中,该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110);用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120);用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144);用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170);用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置;以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。