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公开(公告)号：CN100339900C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410090068.X
申请日：2004-11-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供(1)光信息记录用铝合金反射膜，以Al为主成分，含有1.0～10.0原子数量%的稀土类元素中的至少1种，此外，含有0.5～5.0原子数量%的Cr、Ta、Ti、Mo、V、W、Zr、Hf、Nb、Ni中的至少1种，(2)在上述铝合金反射膜中，含有1.0～5.0原子数量%的Fe、Co中的至少1种，或含有1.0～10.0原子数量%的In、Zn、Ge、Cu、Li中的至少1种，(3)光信息记录介质，具有上述铝合金反射膜，(4)所述铝合金构成的溅射靶材。根据本发明可以实现具有低导热率、低熔化温度、高耐腐蚀性的与激光标记对应的光信息记录用铝合金反射膜及其形成用溅射靶材、光信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1280446C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN1256461C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03127461.7
申请日：2003-08-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C22C1/002 , C22C5/08 , C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23C14/584 , G02B5/0808 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/10 , Y10T428/1059 , Y10T428/1095 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12896 , Y10T428/12924 , Y10T428/21 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10%(指原子%)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1624176A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN112018260B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010453857.4
申请日：2020-05-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: H10K50/818 , H01L27/12 , C23C14/20 , C23C14/34 , H10K50/856 , H10K59/12 , H10K71/16
Abstract: 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823332A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111140681.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433
Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
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公开(公告)号：CN111788631A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980013291.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24035 , G11B7/2578 , G11B7/26
Abstract: 本发明一实施方式的光信息记录媒体用记录层为可通过激光的照射来记录信息信号的光信息记录媒体用记录层，其具有包括Mn氧化物、W氧化物及Sn氧化物的金属氧化物。此外，相对于构成所述金属氧化物的金属元素的合计原子数，Mn的原子数比例为3atm％以上且40atm％以下。
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公开(公告)号：CN106337171A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610490806.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C28/021 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。
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