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公开(公告)号：CN101847826B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102315590B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
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公开(公告)号：CN101854028A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010196194.9
申请日：2010-02-23
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4006 , B82Y20/00 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种具有简单组成和简单结构的、驱动超短脉冲和超高功率激光二极管器件的方法。在驱动激光二极管器件的方法中，光从光注入部件注入通过脉冲电流驱动的激光二极管器件，该脉冲电流具有如阈值电流值的10倍或更多倍大的值。
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公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102315590A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102195232A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN101740434B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910226485.5
申请日：2009-11-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/6489
Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。
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公开(公告)号：CN100592588C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层的上部分和接触层提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上侧的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上侧的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上侧的焊盘电极的部分的上表面。
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公开(公告)号：CN100395927C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN01117233.9
申请日：2001-02-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 池田昌夫
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
Abstract: 容易制造且可以精确控制发光位置的发光器件及光学装置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
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公开(公告)号：CN1770577A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层和接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面。
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