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公开(公告)号：CN1779973A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510113692.1
申请日：2001-02-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 池田昌夫
IPC: H01L25/075 , H01S5/40
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，容易制造且可以精确控制发光位置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
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公开(公告)号：CN102403650B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102420387A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101740434A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910226485.5
申请日：2009-11-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/6489
Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635434A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910159940.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0658 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0652 , H01S5/1064 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够进行自脉动工作，并能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。该激光二极管包括：在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的包括至少一个激光器条的激光器芯片，其中所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度。
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公开(公告)号：CN100423262C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510113692.1
申请日：2001-02-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 池田昌夫
IPC: H01L25/075 , H01S5/40
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，容易制造且可以精确控制发光位置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
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公开(公告)号：CN1675809A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819204.7
申请日：2003-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN－ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
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公开(公告)号：CN100440656C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03819204.7
申请日：2003-06-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
Abstract: 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
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公开(公告)号：CN1316810A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01117233.9
申请日：2001-02-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 池田昌夫
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
Abstract: 容易制造且可以精确控制发光位置的发光器件及光学装置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
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